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经理长春艾克思科技有限责任公司

吉林省长春市丨设计开发工程

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SD卡串口232数据存储模块

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SD卡串口232数据存储模块海量数据存取操作解决方案设备数据记录解决方案智能产品工作过程记录模块个性化设计一：双接口本模块抛开传统模块设计观念，单独安装了USB3.0接口，可以有效的提升数据传输速率。U ...

来源：测试测量技术
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快恢复高压二极管，硅离子二极管反向恢复时间测试

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高压二极管反向恢复时间测试仪满足国家标准：GB/T 4023-1997，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点 A：测量多种高速高压二极管 B：二极管反向电流峰值50mA（定制）C ...

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高压二极管反向耐压测试仪

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DIV-30KV型高压二极管反向耐压测试仪一、主要特点 A: 高压模块全固态、无火花，开关干扰小 B: 可调范围大 C: 自带高精度连续可调高压源 D: 适应性强 ...

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超高速二极管反向恢复时间测试

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超高速二极管反向恢复时间测试仪一：主要特点 A：测量多种二极管 B：二极管反向电流2.5~10mA C：二极管正向电流2.5~50mA D：测量精度1nS E： ...

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大功率IGBT（双极型晶体管），场效应管（Mosfet）测试

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IGBT-1200A型测试仪可以测试大功率IGBT（双极型晶体管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲线。在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和压降参数和实际的参 ...

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二极管正向压降测试

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`二极管正向压降测试仪一、概述 XTECH DF-10A型二极管正向压降测试仪是专为测量二极管正向压降而设计。它采用四线测量法，避免了线上过大压降导致的数据偏差。适合常用二极管的正向压降测量。在诸如开 ...

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IGBT并联技术分析

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IGBT并联技术分析胡永宏博士（艾克思科技）通过电力电子器件串联或并联两种基本方法，均可增大电力电子装置的功率等级。采用这两种方法设计的大功变流器，结构相对简单，加之控制策略与小功率变流器相兼容，功率提升 ...

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IGBT饱和压降Vsat实测值和官方参数对比

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IGBT 饱和压降Vsat实测值和官方参数对比在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试IGBT是否顺坏，但是难 ...

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场效应管测试仪二极管反向恢复时间测试仪

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二极管反向恢复时间测试仪长春艾克思科技有限责任公司满足国家标准：GB/T8024-2010，使用矩形波法测试反向恢复时间。一：主要特点 A：测量多种二极管 B：二极管反向电流峰值100 ...

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