h1654155731.7911的主题_电子工程师 - 电子技术论坛

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[原创微调电容

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微调电容：由一组定片和一组动片组成，其容量随动片的转动而连续改变. 它的介质通常有空气和聚苯乙烯两种，前者体积较大：损耗较小．可用于更高频率的场合。可调电容在电路中的应 ...

来源：数码产品维修论坛
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[原创]安规电容

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安规电容安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 它包括了X电容和Y电容。 x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容 ...

来源：医疗电子论坛
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[原创]PVG3A201C01R00 村田电位器

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PVG3A201C01R00 村田电位器 Manufacturer: Murata Product Category: Trimmer Resistors - SMD RoHS: Details R ...

来源：电路设计论坛
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[原创]传感器

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“传感器”在新韦式大词典中定义为: 　　－“从一个系统接受功率，通常以另一种形式将功率送到第二个系统中的器件”。　　根据这个定义，传感器的作用是将一种能量转换成另一种能量形式， ...

来源：仪器仪表技术专区
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[原创]线圈的用途

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线圈的用途： 1.贴片线圈的用途：广泛使用在共模滤波器、多频变压器、阻抗变压器、平衡及不平衡转换变压器、抑制电子设备EMI噪音、个人电脑及外围设备的USB线路、液晶显示面板、低压微分信号、汽车遥控式钥匙等。 2. ...

来源：电源技术论坛
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[原创]陶瓷滤波器

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陶瓷滤波器是由锆钛酸铅陶瓷材料制成的，把这种陶瓷材料制成片状,两面涂银作为电极，经过直流高压极化后就具有压电效应。起滤波的作用,具有稳定,抗干扰性能良好的特点，广泛应用于电视机、 ...

来源：电磁兼容(EMC)设计与整改
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[原创]电容器主要特性参数

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电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：0 ...

来源：汽车电子技术论坛
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[原创] 数字晶体管

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三极管的主要参数选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 ...

来源：小家电维修论坛
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[原创]稳压管

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现在常用的稳压管的主要材料是半导体硅。在硅稳压管的反向电压击穿区内，电流变化很大，而其电压基本不变。在小于5V的稳压管，主要是齐纳击穿，大于7V的稳压管，主要是雪崩击穿，在5—7V间，两种击穿同时存在。要理 ...

来源：电源技术论坛
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N沟道MOSFET

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`N沟道MOSFET概述N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当VGS>VGS(th)，在D和S之间加正电压，就会产 ...

来源：电磁兼容(EMC)设计与整改
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[原创]晶体管开关的作用

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晶体管开关的作用控制大功率　　现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；　　(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，　　(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，　　(3)可得 ...

来源：方案交易
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[原创] 晶体管（transistor）

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做 ...

来源：汽车电子技术论坛
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[原创]晶体管的主要参数

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主要参数　　晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。电流放大系数　　电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。　　耗散功率也称集电极最 ...

来源：电视机维修论坛
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晶体管分类及参数

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晶体管分类　　按半导体材料和极性分类　　按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。　　按结构及制造工艺分类 ...

来源：电源技术论坛
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[原创]功率MOSFET管

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`功率MOSFET管自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越 ...

来源：小家电维修论坛