CANFD芯片应用中关键功能和性能指标分析

管脚	参考	阻抗（Ω）
		TCAN1042	国内某型号	ASM1042
(TXD)	（GND）	∞	∞	∞
(Vcc)		∞	4.25M	∞
(RXD)		∞	∞	∞
(Vio)		4.29M	∞	5.78M
(CANL)		∞	4.64M	∞
(CANH)		∞	4.64M	∞
(STB)		∞	∞	∞
(CANH)	(CANL)	56.5k	32.72k	50.9k

                 表1  国内外CAN FD芯片阻抗实测数据表


2、MCU接口电平
有的CAN FD芯片通过VIO电压可以支持3.3V和5V两种MCU IO电平，使用范围更广泛，有的不支持MCU 电平可调，使用中应根据MCU方案实际情况进行选择。



图1  CAN FD芯片封装图


3、支持standby低功耗唤醒模式
CAN FD部分型号支持超低功耗待机唤醒即standby模式，该模式下可以在极低功耗下进行总线监测和唤醒，对于有超低功耗待机唤醒需求的方案CAN FD芯片需要支持本功能。


图 2  standby 模式接口时序

3、抗辐照设计
对于商业航天等应用，空间粒子对芯片影响很大，容易出现SEU、SEL等单粒子效应。CAN FD在商业航天中应用越来越广，需要具有抗辐照特性的CAN FD芯片，目前国内具有抗辐照特性的CAN FD芯片很少，国科安芯ASM1042S可应用于商业航天等场景，具有抗辐照特性。



图 3  商业航天抗辐照芯片

综上所述，CAN FD芯片不同型号间在隔离阻抗、MCU接口电压、低功耗唤醒、抗辐照等方面有明显差异，需要根据实际应用需求选择合适的CAN FD芯片型号。
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