请教TI Charge BQ25703的充电状态寄存器位IN_VINDPM如何复位的

BQ25703是一款由德州仪器（TI）生产的高精度、多节电池充电管理芯片。它广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中。BQ25703具有多种充电状态寄存器，用于监控和管理电池的充电过程。其中，IN_VINDPM位是一个重要的寄存器位，用于指示输入电压状态。

要复位BQ25703的充电状态寄存器位IN_VINDPM，可以按照以下步骤操作：

1. 首先，确保您已经熟悉BQ25703的数据手册和电气特性。这将帮助您更好地理解芯片的功能和操作方式。

2. 确定需要复位的寄存器。在BQ25703中，充电状态寄存器是STAT寄存器。STAT寄存器的地址是0x00h。

3. 编写代码或使用串行通信接口（如I2C或SPI）与BQ25703进行通信。根据您的系统设计，选择合适的通信接口。

4. 读取STAT寄存器的当前值。这将帮助您了解IN_VINDPM位的当前状态。在I2C或SPI通信中，发送读命令并接收STAT寄存器的值。

5. 检查IN_VINDPM位的值。IN_VINDPM位位于STAT寄存器的第7位。如果该位为1，则表示输入电压低于预设阈值；如果为0，则表示输入电压正常。

6. 如果需要复位IN_VINDPM位，可以通过以下方法实现：
   a. 改变输入电压，使其高于预设阈值。这将自动将IN_VINDPM位设置为0。
   b. 如果无法改变输入电压，可以尝试重置BQ25703。这将清除所有寄存器的值，包括STAT寄存器。请注意，这将影响其他寄存器的设置和充电过程。

7. 在复位IN_VINDPM位后，重新读取STAT寄存器的值，以确认IN_VINDPM位已成功复位。

8. 如果需要，根据新的输入电压状态调整BQ25703的其他寄存器设置，以确保电池充电过程正常进行。

请注意，复位IN_VINDPM位可能会影响BQ25703的充电性能和电池寿命。在进行复位操作之前，请确保了解可能的影响，并根据您的系统需求进行适当的调整。