SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能从其他制造商和快速回收硅二极管(fred)。肖特基二极管，不像PIN整流器是多数载流子器件，因此没有少数载流子在正向工作模式期间存储在漂移层中，导致零反向恢复电流(归因于储存的电荷)。然而，更薄和更重掺杂的电压阻挡层SiC肖特基二极管通常具有比硅PIN二极管更高的结电容相同的额定电压。因此，在SiC肖特基二极管中有一个小而有限的反向恢复电流由于电容位移电流。然而，不像反向恢复的特点在SiC肖特基二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
