很多教材及网络资料都对SVPWM做了介绍，但是可能受限于篇幅，大多数资料只画出了上桥臂的3个MOS的驱动波形，没有给出3个下MOS的PWM波形。
虽然我们也知道SVPWM是采用中心对齐互补PWM输出，只要知道了上桥臂MOS的波形就可以推理出下MOS的波形。但是，对于初学者来说，如果能把下MOS的PWM波形画出来，会更加的直观。
在网上搜了好长时间都没有找到类似图形，所以决定根据个人对SVPWM的理解，自己动手画一个出来，顺便结合PWM波形和死区插入原则，将各状态下的电流流向以及死区时段的续流情况画出来。
通过阅读本文，你将了解：
SVPWM控制时6个MOS在第一扇区的输出波形；
SVPWM控制时第一扇区电机及逆变器内电流续流情况；
由于个人能力有限，如有错误之处还请留言指正。鉴于这项工作很占用时间，这里先将完成的第一扇区贴出来。图中左上位置为
单片机对应的3个PWM模块，左下为6个MOS的PWM波形。
第一扇区
状态一：
Q1/Q2/Q6导通，此时不存在续流，电流流向用红色手绘线表示
状态二：
在此位置Q3即将打开，Q6关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区，使得Q6先关闭，Q3后打开。死区的插入原则即先关后开。在此状态时Q1/Q2导通，Q3/Q6关闭。
状态三：
在此位置Q1/Q2/Q3导通，电流均经由MOS通过。
状态四：
在此位置Q5即将打开，Q2关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区，使得Q2先关闭，Q5后打开。死区的插入原则即先关后开。在此状态时Q1/Q3导通，Q2/Q5关闭。
状态五：
在此位置Q1/Q3/Q5导通，电流在未完全消失前，按照状态4的流向继续流动，只是不再经过Q5的二极管，而是经过Q5的MOS管。
状态六：
在此位置Q2即将打开，Q5关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区，使得Q5先关闭，Q2后打开。死区的插入原则即先关后开。在此状态时Q1/Q3导通，Q2/Q5关闭。
状态七：
在此位置Q1/Q2/Q3导通，电流流经MOS管，方向如图。
状态八：
在此位置Q6即将打开，Q3关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区，使得Q3先关闭，Q6后打开。死区的插入原则即先关后开。在此状态时Q1/Q2导通，Q3/Q6关闭。在状态器基础上V相续流。
状态九：
在此位置Q1/Q2/Q6导通，电流流经MOS管，方向如图。
状态十：
在此位置Q4即将打开，Q1关闭。为了避免出现上下直通，需要插入死区，使得Q1先关闭，Q4后打开。死区的插入原则即先关后开。在此状态时Q6/Q2导通，Q1/Q4关闭。在状态九的基础上进行续流。
状态十一：
在此位置Q2/Q4/Q6导通，电流流经MOS管，方向如图。
至此，已经完成一个周期，后面将重复以上这个过程。
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