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ASEMI家的恢复二极管US系列成员有多个，那其中的US1M和US1G有什么区别呢？从型号上看US1M和US1G就只有后面的字母M和G的不同，而这两天恰恰代表的他们的反向耐压不同，他们的额定电流都是1A，封装形式也是一样的，区别就在于US1M的耐压是1000V，而US1G的耐压是400V。下面是它们的详细参数对比：
US1M参数描述
型号：US1M
封装：SMA
特性：小电流、贴片
电性参数：1A 1000V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：1A
芯片个数：1
正向电压(VF)：1.7V
浪涌电流Ifsm：30A
漏电流(Ir)：5uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：100ns
引线数量：2
US1G参数描述
型号：US1G
封装：SMA
特性：小电流、贴片
电性参数：1A 400V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：1A
芯片个数：1
正向电压(VF)：1.3V
浪涌电流Ifsm：30A
漏电流(Ir)：5uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：50ns
引线数量：2
以上就是ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
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