请问栅压自举开关不能用PMOS给电容上极板提供电压吗？

因为设计电路需要正负10v的输入电压，因此设计高压的栅压自举开关，VDD=15 ,VSS=-15 CLK=-15到15 VIN幅值10电路工作状态为CLK为高电平时，上面接VDD的PMOS和下面接VSS的NMOS导通，电容上下极板电压差为30v,CLK为低电平，连接vout与vin的NMOS导通，此时电容下极板电压为VIN，根据电容泵的原理，上极板电压应为30***in。但实际***结果，上极板电压约为15v，下极板电压最大为6v

采用NMOS开关为上极板提供VDD时，上极板电压可以到35v，上下极板电压差保持为30，这里面是不能用上面PMOS提供VDD吗，是什么原因呢？