UD408G5S1AF 32位 DDR4 SDRAM特征
•密度
-8Gb
•组织
-32M字×32位×8组
-无铅/RoHS
•电源
-VDD=VDDQ=1.14V-1.26V
-VPP=2.375V–2.75V
•数据速率:
-3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/
2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps
•接口:伪漏极开路(POD)
•爆破长度(BL):爆破(BC)为8和4
•预充电:每个突发访问自动预充电选项
•刷新:自动刷新,自刷新
•刷新周期
-平均刷新周期0℃≤TC≤+85℃时为7.8μs+85℃ •工作箱温度范围
-商业:TC=0℃至+95℃
-工业:TC=-40℃至+95℃
•双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输
•高速数据传输通过8位预取流水线架构实现
•双向差分数据选通(DQS_t和DQS_c)与数据一起发送/接收,以便在接收器处捕获数据
•每个DRAM寻址能力(PDA)
每个DRAM可以分别设置不同的模式寄存器值,并可以单独调整。
•细粒度刷新
2x,4x模式用于较小的tRFC
•最大的省电模式,功耗最低,无需内部刷新
•可编程的部分阵列自刷新(PASR)
•RESET_n引脚用于上电序列和复位功能
UD408G5S1AF 32位 DDR4 SDRAM特征
•密度
-8Gb
•组织
-32M字×32位×8组
-无铅/RoHS
•电源
-VDD=VDDQ=1.14V-1.26V
-VPP=2.375V–2.75V
•数据速率:
-3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/
2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps
•接口:伪漏极开路(POD)
•爆破长度(BL):爆破(BC)为8和4
•预充电:每个突发访问自动预充电选项
•刷新:自动刷新,自刷新
•刷新周期
-平均刷新周期0℃≤TC≤+85℃时为7.8μs+85℃ •工作箱温度范围
-商业:TC=0℃至+95℃
-工业:TC=-40℃至+95℃
•双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输
•高速数据传输通过8位预取流水线架构实现
•双向差分数据选通(DQS_t和DQS_c)与数据一起发送/接收,以便在接收器处捕获数据
•每个DRAM寻址能力(PDA)
每个DRAM可以分别设置不同的模式寄存器值,并可以单独调整。
•细粒度刷新
2x,4x模式用于较小的tRFC
•最大的省电模式,功耗最低,无需内部刷新
•可编程的部分阵列自刷新(PASR)
•RESET_n引脚用于上电序列和复位功能
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