异步BUCK，功率器件为PMOS。采用以下驱动
电路。
PMOS参数：Qg=75nC，Ciss=6460pF，Coss=719pF，Crss=535pF
PWM为来自控制器的3.3V驱动信号，MOSG接PMOS的栅极G。
PWM高电平时，Q2饱和导通，PNP管Q4饱和导通，从MOSG抽取电荷，PMOS导通。
PWM低电平时，Q2截止，输入电压一方面通过VIN->R7->R3->D3回路向MOSG注入电流，该回路电阻很大超过50k。
另一方面通过VIN->R7->C3->Q3使Q3饱和导通，Q3饱和导通以后，经过VIN->Q3->D3回路向MOSG注入电流，加快PMOS关断，这个回路电阻很低。
以上是原理简单分析，不准确的请指正。
测试过程中发现某些工况下PMOS的漏极（D）网络标号记为SW，关断信号异常，具体表现为关断时间大大延长，明显超过开通时间，按照设计，关断过程应该快于开通过程。
如下图，通道2为SW网络对GND电压，绿色的通道4为PMOS的栅极对地电压。明显可以看到通道2的下降沿，斜率明显低于上升沿。PMOS栅极关断时，电压在miller平台持续比较长的时间，然后以很慢的斜率继续上升。
进一步测试发现，示波器探针点Q3的发射极前后，MOSG的电压变化比较大，如下图所示：
通道4绿色为Q3的发射极电压，该波形正常，最高电压接近输入电压VIN=8V。
通道1黄色为示波器探针点Q3发射极时的MOSG网络电压，这个看起来是正常的。
通道R1为去掉示波器探针的MOSG网络电压。
仔细观察可以发现，通道1和R1波形，在进入miller平台之前，两个电压是完全重合的，miller电压平台结束之后，出现比较大的差异，通道1电压继续向VIN升高，而通道R1明显低于通道1.
初步怀疑是Q3在miller平台结束后，提前退出了饱和导通状态，不过没法测试，因为示波器探头点Q3的发射极e波形变正常了，如果点Q3的基极b，波形完全乱掉，甚至直接退出CCM状态进入DCM状态。
此外，示波器探头点Q2的集电极c，波形也会变正常。
很奇怪的现象，请做过的朋友帮忙看一下，谢谢。
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