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[问答]

如何实现从microblaze端访问ARM DDR?

如附图中所示,我需要ARM进行圆顶计算并将结果存储到其DDR中,我希望这些数据可以通过AXI_GP或AXI_HP(在这种情况下,使用S_AXI_GP)通过微网格访问。
由于ARM的C_DDR_RAM_BASEADDR为“0x0”,似乎微型光纤无法直接访问DDR。
你能在SDK中提供任何示例代码来展示我如何实现这一目标吗?

回帖(3)

潘晶燕

2019-10-31 08:01:43
q,
添加AXI总线接口应允许您访问存储器地址空间中的zny存储器到/来自可编程逻辑端。
当然,只能通过ACP连接访问gt和L1和L2缓存,但是你想访问DDR内存,所以这不应该是一个问题。
DDR是从某个地址到某个地址,由处理器端(PS)内存控制器控制,因此一旦在AXI总线上,如果您在可编程逻辑中实例化的AXI xontroller,您应该能够发出读取或写入
(PL)是大师。
它可能是AXI从站无法访问DDR(基本上是从属AXI总线事务的奴隶,我认为不允许 - 有人必须是主人)。
Austin Lesea主要工程师Xilinx San Jose
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徐丽丽

2019-10-31 08:15:04
所以我的问题是“如何从微薄的一面发出读/写DDR操作?”。我的意思是,micrlaze可以访问的DDR地址范围是多少?
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潘晶燕

2019-10-31 08:28:29
q,
MicroBlaze有一个32位地址总线。
ARM PS具有32位地址总线。
AXI总线控制器具有32位地址总线。
Austin Lesea主要工程师Xilinx San Jose
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