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杨静

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[问答]

调试图腾柱驱动NMOS的电路时PWM频率超过10K波形就会变得无规律，请问是什么原因？

大家好，我现在做一个图腾柱驱动NMOS的电路，板子已经焊接好了，PWM是从8K到50K左右，但是我在调试时出现的问题是PWM频率不能超过10K左右，一旦超过，A,B俩点的波形烦乱无规律，大家帮忙看看什么原因，谢谢！
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回帖（15）

张伟

2019-7-18 09:41:53
是MMBTAxx? 如果是MMBTA42 这种管子那就得换了至少FT 1GHZ的.  
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张敏

2019-7-18 09:43:21
什么样的波形？
可以试试把R3改小一点，比如2k
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张敏

2019-7-18 09:43:26
另外得确定单片机输出的波形是否正常
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杨静

2019-7-18 09:43:37
改了，从2K到10K都换过，没有什么变化，单片机输出波形都是好的，就是A,B两点没波形了，感觉R3上啦速度不够
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张敏

2019-7-18 09:44:01
输出端的负载是什么，可能负载的电容容量太大了，驱动能力还是不够；
试试去掉D8，R9并联1个100p左右的电容，看看波形有什么变化
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王树林

2019-7-18 09:44:10
图腾柱附近有没有大的储能电容
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王银喜

2019-7-18 09:44:19
Q5和Q8的位置换下呗；
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贾飞世

2019-7-18 09:44:26
估计Q7进入饱和区了，三极管退出饱和的速度不够快引起的。
把Q7换成小MOS管试试。
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  • 陈新: 这个解释是有道理的，三极管关断速度太慢导致的，1.可以添加加速电容。2.添加肖基特 3.更换为MOS管

李伟

2019-7-18 09:45:10
上拉速度要快不是要更小的阻值吗？几百欧的试了没有
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李伟

2019-7-18 09:45:21
并联电容  驱动速度不是更慢了吗  
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nhcp

2019-7-18 09:45:52
Q7的BC之间加一个肖特基二极管，防止其进入深饱和状态即可。Q5Q8都是射随器，根本不会饱和，不至于影响整个电路的速度。当C极电压低于0.4V时，肖特基二极管导通，分流走部分b极电流，电流减少，防止三极管进入深饱和状态（Ib>>Ic/β），从而降低从饱和中回复的时间。
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Henson

2019-7-18 17:35:45
看看单片机波形输出是否正常
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周涛

2019-7-20 04:42:24
频率变化阻抗也在变化
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h1654155175.8403

2019-7-20 15:18:21
受到警告
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zhang

2019-7-22 13:21:39
Q7问题，把R3换小；如果我没记错的话，10K的拉，最大不失真波形是10K；超过了波形就失真了
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