这样跟加大R7同属低通作用，主要原因是您的仿真方波信号的上丶下沿为零，应设置为实际的状态。
而且，输出端也要接上负载或其它元件，运放之输入端到VEE脚其內部也有寄生电容，一般2至7pF，很容易可以把此窄突波给吃掉，而仿真模型不一定有列入寄生参数。因此仿真时必須要人为判断，不可依赖仿真的结果。
你的MOS管也可以选择Coss较小的。
这样跟加大R7同属低通作用，主要原因是您的仿真方波信号的上丶下沿为零，应设置为实际的状态。
而且，输出端也要接上负载或其它元件，运放之输入端到VEE脚其內部也有寄生电容，一般2至7pF，很容易可以把此窄突波给吃掉，而仿真模型不一定有列入寄生参数。因此仿真时必須要人为判断，不可依赖仿真的结果。
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