静电放电/过度电性应力/闩锁试验 (ESD/EOS/Latch-up)
EOS/ESD造成的客退情形不曾间断，IC过电压承受能力较低，产品就有损坏风险。
对成品厂商而言，除了要求IC供货商测试到所要求的ESD防护等级，对于所选用的IC，其承受EOS的能力也更加关注。
iST宜特能协助您进行测试 ，提供Test to Fail的验证与失效模式报告。藉此了解芯片组件脆弱点与静电承受度，作为您后续系统设计、芯片电路设计调整、甚至后续RMA失效分析的依据。
- 人体放电模式(Human Body Mode)测试
- 机器放电模式(Machine Mode) 测试
- 组件充/放电模式(Charged Device Mode) 测试
- 制具式组件充/放电模式(Socket -Charge Device Mode) 测试
- 闩锁效应(Latch-up) 测试
- 静电放电闩锁测式(Transient-Induced Latch up)
- 系统级静电放电模式 (System ESD Test–ESD GUN TEST)
- 测试ESD I-V Curve量测
- 过度电性应力EOS (Electrical Overstress)测试
服务范围：
丰富的ESD测试经验：提供有效的测试方案，让您能轻易找出产品问题点快速交期：三班制24小时运作测试结果准确度：静电测试设备搭配自主建立之设备维修保养机制定期定检保障设备输出，将可协助客户取得高精准度之测试结果，降低设备不正常输出造成的测试结果差异。
参考规范- MIL-STD(美国军规标准)
- EIA/JEDEC(固态技术协会规范)
- AEC(汽车电子协会规范)
- IEC(国际电工委员会)
- JEITA(日本静电防护规章)
IC ESD参考 规 范MIL-STDJEDEC AECQOther
HBM (Human Body Mode)MIL-STD-883JESD22-A114
JS-001 2017AEC-Q100-002
MM (Machine Mode)JESD22-A115
JESD22-A115AEC-Q100-003
SCDM (Socket CDM)ANSI/ESD SP5.3.2-2004
CDM (Non-Socket) JESD22-C101AEC-Q100-011C1EIA/ESDA-5.3.1
Latch-Up参考 规 范MIL-STDJEDECAECQOther
Room Temp. TestJESD-78
High Temp. TestJESD-78AEC-Q100-004
System ESD参考 规 范MIL-STDJEDEC AECQOther
HBM (Human Body Mode)AEC-Q200-002IEC61000-4-2
