芯片测试与失效分析
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非破坏性分析:点针与探针量测

点针与探针信号量测 (Probe / Nano Probe)
透过OM与SEM显微镜下,利用一般点针(Prober)或奈米级探针(Nano Prober),搭接于芯片内部线路,使其可以外接各类电性量测设备,以输入信号及量测电性曲线。
在真空环境下,以点针(Prober)或奈米级探针(Nano Prober)进行电性量测,避免外界环境的噪声干扰,对于半导体组件失效分析及其在奈米尺度下之研究发展,均能提供直接且快速的信息。
宜特可依据不同需求,搭配多种设备进行量测。
针对奈米组件可搭配SEM高倍率观察进行量测。
组件电性特性分析微机电及芯片微结构研究可应用在高频电路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)。当分析样品需使用如EMMI / OBIRCH / TLP / ESD / Curve Tracer等仪器却无适当治具或socket可用时,可用点针方式提供信号输入输出。Wafer可点针进行各项测试。实验室另架设有 Laser System,可做Laser Cut。

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