SDRAM和DDR布线技巧

SDRAM和DDR布线技巧

ecos应用是与硬件平台无关的，虽然开发板没有涉及到SDRAM和DDR，不过，在某些高端平台上使用ecos可能会遇到内存布线问题，为了完整叙述，这里一并给出说明。
   
    很多人对内存布线感到迷茫，找不到切入点，不知如何下手，其实高速硬件设计的主要任务就是与干扰做斗争，内存布线也不例外。可以这样考虑：内存是做什么用的呢？是用来存储数据的，写入1读出1，写入0读出0，即保证数据访问正确。那么，在什么情况会导致数据访问错误呢？
    1、判决错误，0判成1，1判成0。可能参考电平不准(为什么不准？信号线内阻造成的压降)，也可能是加性干扰，或者阻抗不匹配引起信号畸变。
    2、时序错误，不满足建立/保持时间，或者采样点相位错误，不在有效信号位置上。触发器需要维持一段时间的能量供给才能正常工作，这个时间就是建立/保持时间。
    那么只要解决好这两个问题，保证内存正确访问，你的内存电路就设计成功了。
   
    有了这个指导思想，内存布线就可以按部就班地完成。不过，不同的RAM类型，虽然目标都是避免判决和时序错误，但实现方法因工作模式不同而有较大差异。
   
    高速系统一般采用低压信号，电压低，摆幅小，容易提高速度，降低功耗，但这给布线带来了困难，因为低压信号功率受信号线内阻影响大，是电压平方关系，所以要尽量减少内阻，比如使用电平面，多打孔，缩短走线距离，高压传输在终点用电阻分压出较低电压的信号等。SDRAM、DDR-I、DDR-II、 DDR-III信号电压一个比一个低，越来越不容易做稳定。
   
    电源供给也要注意，如果能量供给不足，内存不会稳定工作。
   
    经常看到“等长布线”，其实，等长不是目的，真正的目的是满足建立保持时间，同频同相，采样正确。等长只不过可以最简单地实现这个目的罢了。要定量分析线长，必须按照时钟模型公式计算。时钟同步电路的类型在后面有简单介绍，这里只要知道SDRAM是公共时钟同步，DDR是源同步就可以了。
   
    SDRAM是公共时钟同步模式，只关心建立时间，不关心保持时间。这些时间和各段飞行时间，经过各个门电路延时，clock skew，jitter，cycle等有关，需要按照公式精确计算。算出各种参数后下规则，让EDA软件辅助设计。选出最长的一根线，不需要计算什么，只要与之等长即可。有些软件能自己算，有些只能自己一段段计算，可以编程让EXCEL表格对某种格式的报告文件自动求和，也算半自动化了。