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本人最近在学习自举电容的选择方法，
期间查阅资料，说到影响自举电容大小，要考虑的因素包括一条是驱动芯片所接MOS管的栅源极间正向漏电流。 一直对于漏电流不清楚其含义，原来只知道反向漏电流，现在又来了正向漏电流， 所以想请教一下漏电流的意义，包括正反漏电流，希望讲的详细些，谢谢！ 
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