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2 .CMOS 工艺的霍尔芯片（霍尔微电子）
CMOS 工艺是随着时代的发展，在芯片本身集成度要求提高的前提下产生的另一种量产工艺。半导体制造工艺的发展使得现今 CMOS 工艺最小线宽不断下降，意味着在同样面积的晶片上可集成更多的电路，特别是数字处理电路。由此 CMOS 工艺的霍尔芯片可通过内置斩波放大处理电路、动态失调消除电路等方式有效控制磁参数的偏差范围，其最大的优点是具有精准的磁开关动作点，磁性灵敏度选择范围较广。对于温漂的控制，亦可通过内置温度补偿电路实现。与此同时，因其其线宽窄，导致芯片本身的耐压性能一般，由于兼顾 ESD 能力、启动电压等因素，大多的 CMOS 工艺霍尔传感器没有内置反向保护电路。CMOS 芯片的抗干扰能力也较差。 |
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