三极管饱和状态以及深入饱和状态的理解

半导体

在这里，我来分享一下我自己对三极管的饱和状态的理解。
三极管的饱和状态，就是集电极电位低于基极电位，而稍高与发射极电位，当集电极电位近似等于发射极电位时，或者夸张一点，集电极电位就等于发射极电位，我们就称作为深度饱和状态，那么这么看来，管子饱和时，Uc=Ue，管子是不是就呈现一种“导通”状态了？因为管子所在位置的上下两个节点电位已经相等了啊，但是这里的管子“导通”状态并不是管子像导线，像理想的开关闭合后的短路状态一样，注意，不是短路状态，只是管子上下两节点电位相等而已，期间流过的电流还是非常小的，并不能无限制的流过任何数值的电流。
对于三极管我看了各种各样的用载流子理论对其原理进行解释，但是我发现任何一种对载流子理论的理解都有这样或那样的不足，或许真的是不能够以载流子理论来解释三极管的原理，那么既然是这样，不如就直接从以实验为基础测得的半导体器件的各种曲线入手，例如这个三极管的工作状态，截至状态容易判断，而饱和与放大状态就不那么容易判断了，不要用载流子理论去判断三极管是处于放大状态还是饱和状态，而是利用特性曲线，首先计算出基极电流，然后画出Ic与Uce曲线，再做出电源的伏安特性曲线，交点在什么位置，三极管就处于什么状态。
以上都是我自己的理解，有不足之处，多多批评！

汪俊峰 · 2016-10-24 08:35:44

貌似理解的也没有啥错误。。。

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