完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
转
驱动SDRAM的时序比较的麻烦一些,不像驱动SRAM,非常简单,网上搜索一下,估计有非常多的FPGA驱 动SDRAM的资料,而且是各种的给你讲时序问题,现在F429/439集成了控制器以后就方便很多了,用户只需配 置相应的寄存器即可,这里向大家推荐一篇文章,强烈的推荐,不懂SDRAM为何物的,一定要看看。 1. 学习SDRAM驱动前的准备工作 学习SDRAM前搞清楚两个问题,一个是SDRAM的基本原理,还有一个就是那几个关键的参数,参数是F429 配置SDRAM的关键,这几个参数大概知道是什么意思就行了,配置的时候,根据SDRAM的手册配置一下就OK 了。在STM32F429/439的数据手册里关键参数说明,F429/439是把这几个关键的参数做到了一个寄存器里面 了,这些参数,手册上面有一些英文说明,但比较的笼统。 我推荐的那篇文章,建议大家一定要看,别的可以不看,这个必须得看,讲的实在太好了,我这里把一些关键的 参数摘录出来: tRCD: 在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔,这个间隔被定义为tRCD,即RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),大家也可以理解为行选通周期,这应该是根据芯片存储阵列电子元件响 应时间(从一种状态到另一种状态变化的过程)所制定的延迟。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数 ,可以通过主板BIOS经过北桥芯片进行调整,但不能超过厂商的预定范围。广义的tRCD以时钟周期 (tCK,Clock time)数为单位,比如tRCD=2,就代表延迟周期为两个时钟周期,具体到确切的时间 ,则要根据时钟频率而定,对于PC100SDRAM,tRCD=2,代表20ns的延迟,对于PC133则为15ns CL(CAS Latency): 在选定列地址后,就已经确定了具体的存储单元,剩下的事情就是数据通过数据I/O通道(DQ)输 出到内存总线上了。但是在CAS发出之后,仍要经过一定的时间才能有数据输出,从CAS与读取命令发 出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为CL(CAS Latency,CAS潜伏期)。由于CL只在读取时出现, 所以CL又被称为读取潜伏期(RL,Read Latency)。CL的单位与tRCD一样,为时钟周期数,具体耗时 由时钟频率决定。 数据写入的操作也是在tRCD之后进行,但此时没有了CL(记住,CL只出现在读取操作中)。 tWR: 数据并不是即时地写入存储电容,因为选通三极管(就如读取时一样)与电容的充电必须要有一段 时间,所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入,都会留出足够的写入/校正时间 (tWR,WriteRecovery Time),这个操作也被称作写回(Write Back)。 tRP: 在发出预充电命令之后,要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行,这个间隔被 称为tRP(Precharge command Period,预充电有效周期)。和tRCD、CL一样,tRP的单位也是时钟周 期数,具体值视时钟频率而定。 我这里就先贴上这几个参数,其它的参数,大家可以查阅相关的资料。 |
|
相关推荐
|
|
135 浏览 0 评论
1160 浏览 0 评论
2050 浏览 0 评论
【每周推荐】采用11代Intel CPU,基于youyeetoo X1开发板搭建少儿AI智能STEAM积木平台
1014 浏览 0 评论
3371 浏览 2 评论
【youyeetoo X1 windows 开发板体验】少儿AI智能STEAM积木平台
7121 浏览 31 评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-5-21 21:38 , Processed in 1.878223 second(s), Total 43, Slave 36 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号