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台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响
针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）栅阴击穿特性的影响做了实验研 究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿，同时 击穿电压升高，ＳＩＴＨ 设计了独立的台面槽，并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿 特性间的关系，指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响，改善 栅阴击穿曲线，提高栅阴击穿电压。同时，还简要描述了这种器件的制造工艺。 关键词：静电感应晶闸管；埋栅结构；台面刻蚀；栅阴击穿；表面缺 
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