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技术资料文,给大家分享正激变压器设计步骤与方法。
第一个需要面对的就是变压器骨架与磁芯的选择,其需要考虑的因素实在太多,我们列举其中一部分来讨论下: 首先用Ap法(磁芯面积乘积法)来计算变压器的AP值: AP=AW*Ae=(Ps*10^4)/(2ΔB*fs*J*Ku) AW: core之窗口面积. ( cm^2); Ae: core有效截面积 . ( cm^2); Ps :变压器传递视在功率 ( W ) Ps=Po/η+Po (正激式); ΔB: 磁感应增量 ( T ); fs : 变压器工作频率 ( HZ ); J : 电流密度 ( A ) .根据散热方式不同可取300~1000 A/cm^2; Ku: 磁芯窗口系数. 可取0.2-0.4。 对于上式Ap算法得到的值,跟实际使用的变压器AP值相差较远,所以被人广泛诟病。其实产生误差的根本原因是,上式基本上都是在工程应用中才有优化近似而得到的,所以有些参数是较为理想,而实际使用中很多的参数是变化的,甚至还有些分布参数在“捣乱”,所以造成了偏差,在实际使用在还要考虑到余量,所以对于计算得到的Ap值乘上一个1.5-2的系数比较合理。 其实这里的ΔB( 磁感应增量)是个比较重要的物理量,需要大家注意。ΔB表征磁芯的在电源工作时,磁感应强度的变化范围,ΔB=Bmax-Br,Bmax是最大磁感应强度,Br剩余磁感应强度。在输入电压与工作频率不变的前提条件下,对于同一幅磁芯,ΔB取得越大,磁感应强度的变化范围越宽,磁芯的铁损越大,但所需要的匝数就越少,相应的铜损就小。选用磁芯的时候,需要选择饱和磁通密度尽量高,剩余磁通密度尽量小的磁芯,这样可以实现小磁芯出大功率的目的。 得到AP值之后,可能有非常多的变压器都符合需要,这是首先需要考虑结构尺寸的限制,特别是高度与宽度的限制。比如EFD30与EI28的AP值同样都是0.6cm4左右,但EFD30的高度小很多,更适合与扁平化的电源中,而EI28对于紧凑型电源则显得更重要。 其次,从降低漏感与分布电容的角度出发,应该选择骨架宽度较宽的变压器磁芯跟骨架,这样单层绕线的匝数会更多,有利于降低绕线层数,从而降低漏感与分布电容,关于漏感的问题,我们在后面再展开讨论。再次,还要从通用性与经济性的角度来考虑,这是工程设计中无法回避的现实问题。当然还有安规,EMI,温升,绕法等一些问题需要考虑。 计算好匝比之后,一般会综合考虑次级整流管的电压应力,将计算的匝比调整或将匝比取整,接着我们就可以通过匝比来反推电路的真实占空比范围 Dmax=n(Vo+Vf)/Vin(min) Dmin=n(Vo+Vf)/Vin(max) 后面的就是要根据真实的占空比范围来计算,这样得到的参数才是比较合理的。接着就可以计算最大与最小的导通时间, tonmax= Dmax/ fs tonmin= Dmin/ fs 接着就能计算初级绕组的匝数了 Np =Vin(min) ×tonmax/(ΔB×Ae) Np:初级绕组的最少匝数 Vin(min):初级绕组的最低输入直流电压 tonmax:初级MOSFET的最大导通时间 ΔB:磁感应强度的变化量,正激类电源根据散热条件,一般可以取0.2-0.3 Ae:所选磁芯的横截面积,一般在磁芯手册上可以查到 接下来计算次级匝数,次级匝数Ns = Np / n,当然得到的数值不一定是整数,一般都是要四舍五入取整数匝,因为小数匝在绕线的时候工艺不好控制。 此时又会带来一个问题,要想保持匝比不变,那么势必要根据四舍五入之后的次级匝数,反过来计算初级的最终匝数,否则占空比就会发生改变, Np= Ns * n 计算的NP如果不是整数的话,也需要近似的取值,当然会带来匝比与占空比的轻微变化,但由于影响较小,所以一般都不需要再次去反推占空比。同样的,确定最终的初级匝数之后,可以反过来推算变压器磁芯的磁感应强度变化范围,验证ΔB是否在合理的范围之内,ΔB=[Vin(min) ×Dmax×Ts] / (Np×Ae) 得到Np之后,就可以计算出复位绕组匝数Nr,并计算出励磁电流以及复位绕组的线径,考虑到MOSFET的电压应力与变压器的可靠复位,一般都是设Np=Nr,然后根据所选磁芯的AL值,计算出复位绕组的电感量Lr=AL*N^2,继而计算出复位绕组的复位电流Ir=Vin(min) ×tonmax/Lr,相应的绕组线径也就能计算出来了。 接下来的工作就是计算初次级绕组的线径。有一点需要大家注意的就是,计算线径要以电流有效值来计算,而非电流峰值或平均值! 要计算初级绕组的线径,首先要计算初级的峰值电流Ip = Pi / VL = Po / (η×Dmax×Vin) ,然后再计算峰值电流Iprms= Ip×√D ,最后在根据电流密度来计算需要的绕组线的横截面积,最后要根据频率,趋肤深度与临近效应,变压器骨架宽度跟深度等因素来计算单根线径的外径。同理次级绕组的计算方法一样的,不同点就是用电流平均值来计算,Isrms=Io×√D,然后要考虑单根线径的值,考虑因素同上。 |
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