[资料]

进行开关电源设计的步骤（详细）

2015-12-28 11:43:32 29371 开关电源

   我们应该怎么进行开关电源的设计呢？开关电源的设计其实也没那么容易，尤其对于新入门的人员。万事开头难，熟悉了就好了。下面给大家详解一下开关电源设计的步骤。
　  步骤1 确定开关电源的基本参数
　　① 交流输入电压最小值umin
　　② 交流输入电压最大值umax
　　③ 电网频率Fl  开关频率f
　　④ 输出电压VO(V):已知
　　⑤ 输出功率PO(W):已知
　　⑥ 电源效率η:一般取80%
　　⑦ 损耗分配系数Z:Z表示次级损耗与总损耗的比值,Z=0表示全部损耗发生在初级,Z=1表示发生在次级.一般取Z=0.5
　　步骤2 根据输出要求,选择反馈电路的类型以及反馈电压VFB
　　步骤3 根据u,PO值确定输入滤波电容CIN、直流输入电压最小值VImin
　　① 令整流桥的响应时间tc=3ms
　　② 根据u,查处CIN值
　　③ 得到Vimin
　　确定CIN,VImin值
　　u(V) PO(W) 比例系数(μF/W) CIN(μF) VImin(V)
　　固定输入:100/115 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
　　通用输入:85~265 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90
　　固定输入:230±35 已知 1 PO ≥240
　　步骤4 根据u,确定VOR、VB
　　① 根据u由表查出VOR、VB值
　　② 由VB值来选择TVS
　　u(V) 初级感应电压VOR(V) 钳位二极管反向击穿电压VB(V)
　　固定输入:100/115 60 90
　　通用输入:85~265 135 200
　　固定输入:230±35 135 200
　　步骤5 根据Vimin和VOR来确定最大占空比Dmax
　　① 设定MOSFET的导通电压VDS(ON)
　　② 应在u=umin时确定Dmax值,Dmax随u升高而减小
　　步骤6 确定初级纹波电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP,KRP=IR/IP
　　u(V) KRP
　　最小值(连续模式) 最大值(不连续模式)
　　固定输入:100/115 0.4 1
　　通用输入:85~265 0.4 1
　　固定输入:230±35 0.6 1
　　步骤7 确定初级波形的参数
　　① 输入电流的平均值IAVG
　　② 初级峰值电流IP
　　③ 初级脉动电流IR
　　④ 初级有效值电流IRMS

游客
，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

　　步骤16~步骤22 设定最大磁通密度BM、初级绕组电流密度J、磁芯的气隙宽度δ,进行迭代.
　　① 设置安全边距M,在230V交流输入或宽范围输入时M=3mm,在110V/115V交流输入时M=1.5mm.使用三重绝缘线时M=0
　　② 最大磁通密度BM=0.2~0.3T
　　若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,使BM在0.2~0.3T范围之内.如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小NP值.
　　③ 磁芯气隙宽度δ≥0.051mm
　　δ＝40πSJ(NP2/1000LP-1/1000AL)
　　要求δ≥0.051mm,若小于此值,需增大磁芯尺寸或增加NP值.
　　④ 初级绕组的电流密度J=(4~10)A/mm2
　　若J>10A/mm2,应选较粗的导线并配以较大尺寸的磁芯和骨架,使J<10A/mm2.若J<4A/mm2,宜选较细的导线和较小的磁芯骨架,使J>4A/mm2;也可适当增加NP的匝数.
　　⑤ 确定初级绕组最小直径(裸线)DPm(mm)
　　⑥ 确定初级绕组最大外径(带绝缘层)DPM(mm)
　　⑦ 根据初级层数d、骨架宽带b和安全边距M计算有效骨架宽带be(mm)  be=d(b-2M)
　　然后计算初级导线外径(带绝缘层)DPM:DPM＝be/NP
　　步骤23 确定次级参数ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm
　　① 次级峰值电流ISP(A) ISP=IP×(NP/NS)
　　② 次级有效值电流ISRMS(A)
　　③ 输出滤波电容上的纹波电流IRI(A)
　　⑤ 次级导线最小直径(裸线)DSm(mm)
　　⑥ 次级导线最大外径(带绝缘层)DSM(mm)
　　步骤24 确定V(BR)S、V(BR)FB
　　① 次级整流管最大反向峰值电压V(BR)S  V(BR)S＝VO+VImax×NS/NP
　　② 反馈级整流管最大反向峰值电压V(BR)FB V(BR)FB＝VFB+ VImax×NF/NP
　　步骤25 选择钳位二极管和阻塞二极管
　　步骤26 选择输出整流管
　　步骤27 利用步骤23得到的IRI,选择输出滤波电容COUT
　　① 滤波电容COUT在105℃、100KHZ时的纹波电流应≥IRI
　　② 要选择等效串连电阻r0很低的电解电容
　　③ 为减少大电流输出时的纹波电流IRI,可将几只滤波电容并联使用,以降低电容的r0值和等效电感L0
　　④ COUT的容量与最大输出电流IOM有关
　　步骤28~29 当输出端的纹波电压超过规定值时,应再增加一级LC滤波器
　　① 滤波电感L=2.2~4.7μH.当IOM<1A时可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠;大电流时应选用磁环绕制成的扼流圈.
　　② 为减小L上的压降,宜选较大的滤波电感或增大线径.通常L=3.3μH
　　③ 滤波电容C取120μF /35V,要求r0很小
　　步骤30 选择反馈电路中的整流管
　　步骤31 选择反馈滤波电容
　　反馈滤波电容应取0.1μF /50V陶瓷电容器
　　步骤32 选择控制端电容及串连电阻
　　控制端电容一般取47μF /10V,采用普通电解电容即可.与之相串连的电阻可选6.2Ω、1/4W,在不连续模式下可省掉此电阻.
　　步骤33选定反馈电路
　　步骤34选择输入整流桥
　　① 整流桥的反向击穿电压VBR≥1.25√2  umax
　　② 设输入有效值电流为IRMS,整流桥额定有效值电流为IBR,使IBR≥2IRMS.计算IRMS公式如下:
　　cosθ为开关电源功率因数,一般为0.5~0.7,可取cosθ＝0.5
　　步骤35 设计完毕
　　在所有的相关参数中,只有3个参数需要在设计过程中进行检查并核对是否在允许的范围之内.它们是最大磁通密度BM(要求BM=0.2T~0.3T)、磁芯的气隙宽度δ(要求δ≥0.051mm)、初级电流密度J(规定J=4~10A/mm2).这3个参数在设计的每一步都要检查,确保其在允许的范围之内.

评分

参与人数 1	积分 +20	收起理由
ElecFans处女座	+ 20	您的付出是论坛的动力,感谢您一直支持!.

查看全部评分

举报 淘帖0 只看该作者

相关推荐

184条评论发表评论只看该作者

qisheng615567 · 2016-6-20 21:32:57 62^# 楼主发帖辛苦！感谢楼主热心分享技能知识，学习了！

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:58:20 63^# 步骤1 确定开关电源的基本参数　　① 交流输入电压最小值umin 　　② 交流输入电压最大值umax 　　③ 电网频率Fl 开关频率f 　　④ 输出电压VO(V):已知　　⑤ 输出功率PO(W):已知　　⑥ 电源效率η:一般取80% 　　⑦ 损耗分配系数Z:Z表示次级损耗与总损耗的比值,Z=0表示全部损耗发生在初级,Z=1表示发生在次级.一般取Z=0.5

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:58:38 64^# 　步骤2 根据输出要求,选择反馈电路的类型以及反馈电压VFB

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:58:53 65^# 步骤3 根据u,PO值确定输入滤波电容CIN、直流输入电压最小值VImin 　　① 令整流桥的响应时间tc=3ms 　　② 根据u,查处CIN值　　③ 得到Vimin 　　确定CIN,VImin值　　u(V) PO(W) 比例系数(μF/W) CIN(μF) VImin(V) 　　固定输入:100/115 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90 　　通用输入:85~265 已知 2~3 (2~3)×PO ≥90 　　固定输入:230±35 已知 1 PO ≥240

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:59:06 66^# 　步骤4 根据u,确定VOR、VB 　　① 根据u由表查出VOR、VB值　　② 由VB值来选择TVS 　　u(V) 初级感应电压VOR(V) 钳位二极管反向击穿电压VB(V) 　　固定输入:100/115 60 90 　　通用输入:85~265 135 200 　　固定输入:230±35 135 200

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:59:25 67^# 步骤5 根据Vimin和VOR来确定最大占空比Dmax 　　① 设定MOSFET的导通电压VDS(ON) 　　② 应在u=umin时确定Dmax值,Dmax随u升高而减小

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:59:38 68^# 　步骤6 确定初级纹波电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP,KRP=IR/IP 　　u(V) KRP 　　最小值(连续模式) 最大值(不连续模式) 　　固定输入:100/115 0.4 1 　　通用输入:85~265 0.4 1 　　固定输入:230±35 0.6 1

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 21:59:50 69^# 步骤7 确定初级波形的参数　　① 输入电流的平均值IAVG 　　② 初级峰值电流IP 　　③ 初级脉动电流IR 　　④ 初级有效值电流IRMS

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:00:21 70^# 步骤8 根据电子数据表和所需IP值选择TOPSwitch芯片　　① 考虑电流热效应会使25℃下定义的极限电流降低10%,所选芯片的极限电流最小值ILIMIT(min)应满足:0.9 ILIMIT(min)≥IP

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:00:33 71^# 　步骤9和10 计算芯片结温Tj 　　① 按下式结算: 　　Tj＝[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ+25℃ 　　式中CXT是漏极电路结点的等效电容,即高频变压器初级绕组分布电容　　② 如果Tj>100℃,应选功率较大的芯片

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:00:46 72^# 步骤11 验算IP IP=0.9ILIMIT(min) 　　① 输入新的KRP且从最小值开始迭代,直到KRP=1 　　② 检查IP值是否符合要求　　③ 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min)

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:01:00 73^# 　步骤12 计算高频变压器初级电感量LP,LP单位为μH

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:01:13 74^# 步骤13 选择变压器所使用的磁芯和骨架,查出以下参数: 　　① 磁芯有效横截面积Sj(cm2),即有效磁通面积. 　　② 磁芯的有效磁路长度l(cm) 　　③ 磁芯在不留间隙时与匝数相关的等效电感AL(μH/匝2) 　　④ 骨架宽带b(mm)

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:01:27 75^# 　步骤14 为初级层数d和次级绕组匝数Ns赋值　　① 开始时取d＝2(在整个迭代中使1≤d≤2) 　　② 取Ns=1(100V/115V交流输入),或Ns=0.6(220V或宽范围交流输入) 　　③ Ns=0.6×(VO+VF1) 　　④ 在使用公式计算时可能需要迭代

赞回复举报

24不可说 · 2016-6-20 22:01:48 76^# 步骤15 计算初级绕组匝数Np和反馈绕组匝数NF 　　① 设定输出整流管正向压降VF1 　　② 设定反馈电路整流管正向压降VF2 　　③ 计算NP 　　④ 计算NF

赞回复举报

陈淼新 · 2016-6-27 17:40:33 77^# 谢谢..........................

赞回复举报

飓风 · 2016-6-27 18:04:48 78^# 开关电源设计的步骤很详细

赞回复举报

haoxueshengL · 2016-6-28 09:09:44 79^# 谢谢..........................

赞回复举报

h1654155777.9198 · 2016-6-28 10:14:50 80^# 号东西，学习下00000000000

赞回复举报

訫有所屬 · 2016-6-28 10:41:02 81^# 0 0选择控制端电容及串连电阻　　控制端电容一般取47μF /10V,采用普通电解电容即可.与之相串连的电阻可选6.

赞回复举报