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作者:一博科技SI工程师张吉权 摘要:从系统角度看,随着系统信号速率25Gbps即将到来和未来更高高速率的发展,SerDes(高速串行)信号通道上一个很小阻抗不连续的问题都会带来反射,串扰,模态转换和其它一些影响。这些SI(信号完整性)带来的问题将会使得系统出问题的风险大大增加。AC耦合电容以往被视为对系统影响很小,设计比较随意,但随着10Gbps以及跟高的信号速率,不好的AC耦合电容设计带来的问题将不可忽视。 图2.1 10BASE-KR信号AC耦合电容规范 图2.2 PCIE协议对AC耦合电容规范 图2.3 Intel Romley平台SATA信号AC耦合电容位置 图1到图3例举了PCIE ,SATA和KR信号对AC耦合电容位置和容值大小的要求,都各不相同,设计者在设计不同的SerDes信号对于AC耦合电容需要熟悉各类串行信号的协议,理解各信号协议对AC耦合电容的要求,同时需要理解具体芯片对AC耦合电容的要求。 图3.1 仿真层叠 仿真电容信息如下: 图3.2 电容pad仿真模型 在仿真时候,端口两边各向外延时1000mil线长以方便更好的观察电容pad阻抗不连续性。电容pad TDR仿真结果如下图3.3所示: 图3.3 TDR仿真曲线 在上图中比较平滑的部分为差分线阻抗,中间凹陷下去的地方为电容pad处的阻抗。可以看出差分线的设计阻抗为100ohm,电容pad处由于pad的宽度为20mil,大于走线宽度,而阻抗和线宽是成反比的一种关系,因此pad处阻抗会变小。从图3.3看出在此层叠结构下pad处阻抗约为92ohm。 图3.4 插损回损曲线 插损和回损曲线是SerDes信号很重要的系数指标,插损曲线和回损曲线可以很好反应通道损耗以及阻抗不连续性。仿真插损曲线和回损曲线如上图3.4所示。插损和回损曲线可以和后续优化后的曲线做一个简单的对比。 图3.5参考面挖空优化仿真建模 挖空需要挖多大合适呢?传统2D阻抗计算软件无法准确计算出此种情况下的阻抗,采用3D电磁场仿真软件可以准确计算此种情况下的阻抗。对图3.5挖空区域做参数扫描,加上挖空区域为以坐标轴为中心的矩形,长从0到80mil每10mil取一点,宽从0mil到80mil没10mil取一个点。这样一共有64中情况,对这64种情况进行分析的结果如下图3.6所示: 图3.6 TDR扫描结果 从上图3.6可以看出,不同挖空形状对阻抗的影响还是较大。选择一个TDR曲线最平滑的情况,如上图中绿色曲线,可以看出绿色曲线和差分线的阻抗匹配非常好,都几乎为100ohm。去查看挖空面积的参数,长为50mil,宽为70mil的一个矩形,也就是挖空的形状为和电容长度相等,和两个电容并排的宽度稍微宽一点。这样的设计会让通道的阻抗一致性最好。 3.7 插损扫描结果 插损是对信号经过通道能传输部分一个考量,对于PCB串行信号来讲,通常情况下通道插损越小越好,也就是插损曲线越接近0越好。比如对于高速背板,由于走线长,经过连接器和过孔换层,通道的插损就会越大,那么通道就越需要做设计优化以改善通道的插损曲线。 3.8 回损扫描结果 回损是对信号传输时候遇到阻抗不连续反射回源端信号的度量。从能量守恒看反射越多传输到接收芯片的就越少。因此在设计的时候都尽量使回损曲线远离0。从回损曲线看,不同设计差别同样很大,绿色的曲线同样对应TDR曲线最平滑的情况。从回损看,也是此种设计较优。 |
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