FLASH 字编程和擦除问题

使用的FLASH是SST39VF3201  按照芯片手册编写了写编程程序和擦除程序，发现擦除或写编程10多次才偶尔有一次擦除成功，哪位高手知道是什么原因吗？
程序代码为：

assign Flash_data=(FLASH_STATE==F_S4||FLASH_STATE==F_S8)?Flash_data_IN:16'hzzzz;  
                              //只有在写编程操作和擦除操作中，Flash_data=Flash_data_IN,其余状态为高阻
always@(posedge clk_100MHZ)
begin

case(FLASH_STATE)
F_S0:begin
  CNT_RST<=1'b0;                                         //复位信号计数清零  
  CNT_READ<=1'b0;                                       //读计数清零   
  CNT_ERASE<=1'b0;                                      //擦除计数清零  
  CNT_FEED<=1'b0;                                       //反馈数据读取计数清零   
  Flash_OE<=1'b0;Flash_CE<=1'b1;
case(s_reg)
  6'b000000:FLASH_STATE<=F_S1;                          //读模式
  6'b100000:FLASH_STATE<=F_S2;                          //复位模式
  6'b010000:begin FLASH_STATE<=F_S3;
                    Flash_addr_r<=21'h000000;end            //字编程算法
  6'b001000:FLASH_STATE<=F_S5;                          //读标定值1
  6'b000100:FLASH_STATE<=F_S6;                          //读标定值2
  6'b000010:FLASH_STATE<=F_S7;                          //读标定值3
  6'b000001:FLASH_STATE<=F_S8;                          //擦除模式
  default:      FLASH_STATE<=F_S0;                          //初始状态
endcase
end


F_S3:begin                                              //数据等待
  CNT_WRITE<=1'b0
if(jx_wr)                                                  //接收到写数据，每组数据间隔时间为26us
  FLASH_STATE<=F_S4;                        //字编程时间最大为10us，不需要DQ7查询？
else if(S_C1)                                           //接收其他FLASH操作信号
  FLASH_STATE<=F_S0;                        //指令判断状态，没有指令则进入FLASH读状态
else
  FLASH_STATE<=F_S3;
end
F_S4:begin                                              //字编程算法及数据写编程
  Flash_OE<=1'b1;
  CNT_WRITE<=CNT_WRITE+1'b1;
case(CNT_WRITE)  
  16'd0:   begin Flash_addr<=21'h005555;Flash_data_IN<=16'h00aa;end
  16'd10:  begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  16'd20:  begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  16'd30:  begin Flash_addr<=21'h002aaa;Flash_data_IN<=16'h0055;end
  16'd40:  begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  16'd50:  begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end  
  16'd60:  begin Flash_addr<=21'h005555;Flash_data_IN<=16'h00a0;end
  16'd70:  begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  16'd80:  begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end  
  16'd90:  begin Flash_addr<=Flash_addr_r;Flash_data_IN<=DATA_WRITE;end            //初始地址为000000
  16'd100: begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  16'd110: begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  16'd115:Flash_addr_r<=Flash_addr_r+1'b1;                           //数据地址+1
  16'd120:FLASH_STATE<=F_S3;                                              //返回上一状态，等待下一组数据来临
  default:FLASH_STATE<=F_S4;
endcase
end


F_S8:begin                                              //数据擦除
  Flash_OE<=1'b1;
  CNT_ERASE<=CNT_ERASE+1'b1;
case(CNT_ERASE)
  24'd0:   begin Flash_addr<=21'h005555;Flash_data_IN<=16'h00aa;end         
  24'd10:  begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  24'd20:  begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end  
  24'd30:  begin Flash_addr<=21'h002aaa;Flash_data_IN<=16'h0055;end  
  24'd40:  begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end      
  24'd50:  begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  24'd60:  begin Flash_addr<=21'h005555;Flash_data_IN<=16'h0080;end
  24'd70:  begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  24'd80:  begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  24'd90:  begin Flash_addr<=21'h005555;Flash_data_IN<=16'h00aa;end
  24'd100: begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  24'd110: begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  24'd120: begin Flash_addr<=21'h002aaa;Flash_data_IN<=16'h0055;end
  24'd130: begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  24'd140: begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  24'd150: begin Flash_addr<=21'h005555;Flash_data_IN<=16'h0010;end
  24'd160: begin Flash_WE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  24'd170: begin Flash_WE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;end
  24'd171: begin FLASH_STATE<=F_S9;CNT_ERASE<=1'b0;end                              
  default: FLASH_STATE<=F_S8;
endcase
end
F_S9: begin                                    //DQ7查询
  CNT_ERASE<=CNT_ERASE+1'b1;
case(CNT_ERASE)
  24'd0:  begin Flash_OE<=1'b1;Flash_CE<=1'b1;Flash_addr<=21'h000fff;end
  24'd5:  begin Flash_OE<=1'b0;Flash_CE<=1'b0;end
  24'd15: begin if(Flash_data[7]) FLASH_STATE<=F_S0;
                else begin CNT_ERASE<=1'b0;FLASH_STATE<=F_S9;end
          end
  default:FLASH_STATE<=F_S9;
endcase
end