[转]台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果

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台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔苹果

晶圆代工龙头台积电16纳米鳍式场效晶体管升级版（FinFET Plus）将在明年1月全产能量产，搭配整合型扇出晶圆尺寸封装（InFO WLP）的系统级封装（SiP）技术，在x86及ARM架构64位应用处理器代工市场已是毫无敌手，可望直取英特尔SoFIA、苹果A9大单。
台积电今年全力冲刺20纳米系统单芯片制程（20SoC）产能，由于已抢下苹果A8处理器及高通、英特尔、NVIDIA等大单，不仅第1座支持20纳米12英寸厂南科Fab14第5期已全产能投片，第2座12英寸厂Fab14第6期将在7月正式进入量产，将成为台积电第3季营收挑战2,000亿元新高的重要动能。
台积电原本计划在今年底转进16纳米FinFET制程，但因许多客户认为16纳米FinFET与目前量产中的20纳米SoC制程相较，效能及功耗上并无太明显的差距，也因此，台积电加快脚步开发出16纳米FinFET Plus制程，除了可较16纳米FinFET技术提高15％效能，在同一速度下还可降低30％的功耗。 采用16纳米FinFET Plus技术的首颗芯片将完成设计定案（tape-out），今年内完成设计定案的芯片数量可达16颗，明年将放大到45颗。由于上游客户对于16纳米FInFET Plus需求远远高于原先规画，所以台积电明年资本支出将维持在100亿美元高水准，全力扩产因应强劲需求。
除了在晶圆制程上的推陈出新，台积电也决定提高在SiP制程上的研发力道，除了目前已开始小量生产的CoWoS技术之外，针对中低端处理器市场量身打造的InFO WLP封装技术也可望在今年底开始生产，同时可支持Wide IO接口DRAM芯片的封装内建封装（PoP）技术。 台积电明年靠着16纳米FinFET Plus及InFO WLP等两大武器，不仅可以有效对抗三星及GlobalFoundries的14纳米FinFET制程联军，还可回防全球最大半导体厂英特尔的步步进逼。 业界人士指出，台积电整合16纳米FinFET Plus及InFO WLP所推出的一元化（turnkey）服务，可将64位应用处理器的运算效能及低功耗特色发挥到极致，对手因技术及产能无法追赶上，台积电等同于将通吃x86或ARM架构的64位处理器代工市场订单，英特尔SoFIA及苹果A9两大订单等于手到擒来。