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1、输入特性 三极管的输入特性曲线,它表示Ib随Ube的变化关系,其特点是: (1)当Ube<UbeR时,Ib≈O称(0~UbeR)的区段为“死区”当Ube>UbeR时,Ib随Ube增加而增加,放大时,三极管工作在较直线的区段。 (2)当Uce在0-2伏范围内,曲线位置和形状与Uce 有关,但当Uce高于2伏后,曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线表示即可。 2、输出特性 输出特性表示Ic随Uce的变化关系,它分为三个区域:截止区、饱和区和放大区。 截止区 当Ube<0时,则Ib≈0,即Ic=Iceo,称为穿透电流,常温时Iceo约为几微安,锗管约为几十微安至几百微安。 常温时硅管的Icbo小于1微安,锗管的Icbo约为10微安,对于锗管,温度每升高12℃,Icbo数值增加一倍,而硅管温度每升高8℃,Icbo数值增大一倍。 饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时,Ic基本上不随Ib而变化,失去了放大功能。 放大区 当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时,Ic随Ib近似作线性变化,放大区是三极管工作在放大状态的区域。 |
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