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` 损耗因素:是交流电流经电容器所测得的损失，当功率因数小于10%损耗因素和功率因数几乎相等,损耗因素的公式写成： 从以上公式可以看出，针对同一品牌同一系列的电容器，分别与温度，容量，电压，频率，使用环境与用途，介质等都会影响DF值得大小，其中介质不同会在一定程度上影响电容的耐压，介质的可逆与不可逆直接决定了电容的极性，同时也决定了电容的耐压高低，当容量相同时，耐压越高的DF值就越小，频率与温度都是与DF值成正比的，温度与频率的升高都会促使DF值得升高。耐高压电容的DF值一般情况下在温度，容量，频率，使用环境与用途，介质等影响因素一样的情况下DF值是不变的。 等效电路： 所有的商用电容器并不只帶有电容量,同時也帶有电感和电阻 (1)表示实际电容器的等效电路. 一个电容器的等效串联电阻(ESR)值是在某特定频率下如图(1)所示之Rs和Rp的合成值.因此,该元素(element)的总损失就可以 用一個和电容相串联的电阻表示之. 一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗，比较重要的就是ESR等效串联电阻及ESL等效串联电感─这就是容抗的基础。一般情况下ESR/ESL越低电容器就越高级。 深圳市创硕达电子有限公司针对这一市场需求，一直坚持生产高质量的耐高压电容、薄膜电容、安规电容等产品，欢迎广大客户前来采购咨询！ ` 
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我想要用半桥电路测试IGBT，但是IGBT总是导不通，求大家帮忙看看是为什么
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