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Power MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
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2013-3-12 09:29:59
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在需要作高速开关动作（HIGH SPEED SWITCHING）之领域较不适合使用IGBT，但是，在使用AC市电驱动之场合（例如驱动马达等之场合），在高电压大功率之应用领域内使用IGBT的效率远较POWER MOSFET为高。
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2013-3-12 09:44:52
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在需要作高速开关动作（HIGH SPEED SWITCHING）之领域较不适合使用IGBT，但是，在使用AC市电驱动之场合（例如驱动马达等之场合），在高电压大功率之应用领域内使用IGBT的效率远较POWER MOSFET为高!
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2013-3-12 11:48:54
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