结型场效应管（N沟道JFET）工作原理：

2012-8-13 12:51:29 6461

0 可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的 d极、g 极、s极。 “人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vGS），使栅极、沟道间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现高达107Ω以上的输入电阻。在漏极与源极之间加一正电压（vDS0），使N沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流iD。iD的大小受“人工开关”vGS的控制，vGS由零往负向增大时，PN结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vGS绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（iD）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。 “智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差（vDS）越大时，则人工开关自动智能“生长”。vDS值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（iD）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。理论上，随着vDS逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流iD增加；另一方面，有了vDS，就在由源极经沟道到漏极组成的N型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。由于N沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处PN结的反向电压也越大，耗尽层也越向N型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vDS）越大，则人工开关自动智能“生长”。 0
举报淘帖0 只看该作者相关推荐 • 结型场效应管和金属氧化物场效应管的分类 8298 • 结型场效应管相关资料分享 2124 • MOS管场效应管资料大全 6060 • N沟道增强型场效应管的工作原理 2876 • N沟道增强型场效应管的工作原理 3675 • N沟道增强型场效应管的工作原理 2978 • N沟道增强型场效应管的工作原理 3430 • 结型场效应管(JFET)的结构及工作原理 21399 • MOS场效应管的工作原理 6876 • 场效应管的分类 4783