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一、异常情况的思考
异常情况的思考
1、电流倒灌集成电路的模型典型如下:
1、D1在大多数CMOS集成电路中产生了抗静电功能。同时辅助产生了输入端限幅作用。但在ABT、LVT、LVC和AHC/AHCT类集成电路中无此缺陷。
2、D2是半导体集成产生的生命存在缺陷(于所有数字集成电路),其辅助功能为对线路引用的下冲信号进行限幅,提供一些电流保护功能。
3、D3用于保护CMOS电路在短路时的干扰。在大多数双器件器件中也附加了此,但为寄生器件二极管。在集电极开路和三态输出的双器件中无此器件。
4、D4在所有集成电路中均存在此器件。它是器件存在的集电极或漏极的器件。在双器件器件中还附加了一个肖特基器件对线路通路的下冲信号进行限制幅度。在CMOS电路中附加了器件以增加防器件器件。
电流倒灌产生的原因:当使用CMOS型器件作为接口芯片时,在如下图所示的电路中使用时,如果Vcc2断电,Vcc1继续给G1供电,G1的高电平电流输出将通过D1向Vcc2上的电容充电(该充电电流引起D1急剧过载而损坏。CMOS器件中D1只)能承受20mA的电流)并在Vcc2上建立一个电压,该电压使使用Vcc2供电的其他电路工作不正常,特别是使附加器件。
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