|
目录 二、二极管 三、功率MOS 四,三极管 五,电解电容 六,瓷片电容 七,薄膜电容 八,电阻 十,金属氧化物压敏电阻MOV 十一,印刷电路板 十二,保险丝 十三,光耦 电子元器件选型主要注意的几个参数和标准,大家可以参考一下,这些都是比较保守的值,在实际使用中还可以根据需要适当提高。 一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性,一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。 我们通常规定: 1,最大工作电压,不超过额定电压80% 2,最大输出电流,不超过额定电流75% 3,结温,最大85摄氏度,或不超过额定最高结温的80%
二、二极管二极管种类繁多,特性不一。故而,有通用要求,也有特别要求: 通用要求: 长期反向电压<70%~90%×VRRM(最大可重复反向电压) 最大峰值反向电压<90%×VRRM 正向平均电流<70%~90%×额定值 正向峰值电流<75%~85%×IFRM正向可重复峰值电流 对于工作结温,不同的二极管要求略有区别: 信号二极管< 85~150℃ 玻璃钝化二极管< 85~150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管(<1000V)<85~125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管(≥1000V)<85~115℃ 肖特基二极管< 85~115℃ 稳压二极管(<0.5W)<85~125℃ 稳压二极管(≥0.5W)<85~100℃ Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P,2×θjc×P<15℃,θjc是从结到壳的热阻,P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 这里很多指标给的是个范围,因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理。
三、功率MOSVGS<85%×VGSmax(最大栅极驱动电压) ID_peak<80%×ID_M(最大漏极脉冲电流) VDS<80~90%×额定电压 dV/dt<50%~90%×额定值 结温<85℃~80%×Tjmax(最大工作结温) Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P,2×θjc×P<15℃,θjc是从结到壳的热阻,P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。
文件过大,需要完整版资料可下载附件查看哦!
|