锐骏新款超低导通MOSRUH4040M、80M更适用于新产品研发

锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。这两款产品均采用DFN5060封装，凭借先进的制造工艺和出色的性能表现，将为客户带来更高效的解决方案。

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锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。这两款产品均采用DFN5060封装，凭借先进的制造工艺和出色的性能表现，将为客户带来更高效的解决方案。

**封装引脚描述

N-Channel MOSFET系列 RUH4040M-B**

RUH4040M-B是一款N沟道先进功率 MOSFET，采用了先进SGT（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合用于各种高频、高效电源管理应用，尤其在DC/DC转换器、无线充电和同步整流等领域表现优异。

---产品特点---

· 低导通电阻：
RDS(ON) @VGS=10V = 5.5mΩ
RDS(ON) @VGS=4.5V = 7.5mΩ
· VGS(th) = 1-3V
· Qg = 19.8nC，较低的栅极电荷，在高频应用中具有出色的开关性能。
· 通过100%雪崩测试
· 低热阻使其具备良好的散热性能，适合处理高功率的场景。

---产品应用---

· DC/DC转换器
· PD无线充电器
· 同步整流器件

N-Channel MOSFET系列 RUH4080M-B

RUH4080M-B是一款高性能的N沟道 MOSFET，采用先进SGT（屏蔽栅极槽）技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于高效电源管理和高速开关的应用场景。

---产品特点---

· 超低导通电阻
RDS(ON) (typ.)@VGS=10V = 3.5mΩ
RDS(ON) (typ.)@VGS=4.5V = 4.4mΩ
· 快速开关性能
· 通过100%雪崩测试，确保在高能量条件下的稳健性
· 高电流处理能力
· 具备出色的散热性能

---产品应用---

· 电池管理
· PD无线充电
· 电机控制与驱动