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NISSHINBO日清纺微推出面向高音质音频的600mA超低噪声LDO “MUSES” 系列中首款适合高音质的电源IC “MUSES100”新品上市

2024-8-11 14:12:53 1497 芯片

面向高音质音频的600mA超低噪声LDO “MUSES” 系列中首款适合高音质的电源IC “MUSES100”新品上市

在音频市场中，需要高品味、能够再现忠实于原声的声音以及震撼心灵与之共鸣的声音的专用音频设备。为了满足这一需求，我公司品牌“MUSES”推出了一系列高音质运算放大器和音量控制音频产品，一直以来受到市场的高度好评。
MUSES100系列是为了提供更加“真实的声音”而开发的，是非常适合高音质化日益增进的音频D-A转换器的电源IC。

在追求高音质的音频设备中，降噪很重要。“MUSES100”系列实现了输出噪声电压为3.0μVrms、高纹波抑制比为90dB（f=10kHz）的超低噪声特性。
采用的封装是DFN3030-8-GQ（3.0×3.0×0.75mm）。

1. MUSES系列首款面向高端音频设备的高音质电源IC

“MUSES100”系列产品将MUSES系列中培养的高音质技术推广到电源IC。这样，构建注重音质的系统会变得更容易。

2. 实现低输出噪声电压和高纹波抑制比

“MUSES100”系列产品实现了高音质音频所需的超低输出噪声电压和高纹波抑制比。

输出噪声电压: Typ. 3.0 μVrms (Iout = 50 mA, CNR = 0.47 μF)
纹波抑制比: Typ. 90 dB (Iout = 100 mA, f = 10 kHz, CNR = 0.47 μF)

本产品备有降噪（NR）引脚，通过在NR引脚和GND引脚之间以最短距离连接降噪电容器（CNR），可实现出色的低输出噪声电压和高纹波抑制比。

输出噪声电压　特性示例 VIN = 4.3 V, VSET = 3.3 V, CNR = 0.47 μF, COUT = 10 µF

纹波抑制比特性示例VIN = 4.3 V, Ripple 0.2 VP-P, VSET = 3.3 V, IOUT = 100 mA, CNR = 0.47 μF, COUT = 10 μF

小型高散热封装

封装采用的是最适合便携式音频设备和要求高密度实装产品的小型高散热DFN3030-8-GQ封装。

主要性能指标（详情请参阅产品数据表）

项目	MUSES100系列
输入电压范围	2.5 V ～ 5.5 V (最大额定 6.5 V)
输出电压范围	1.2 V ～ 5.0 V
输出电流	600 mA
静态电流	Typ. 960 µA
纹波抑制比	Typ. 90 dB (f = 10 kHz)Typ. 80 dB (f = 100 kHz)
输出噪声电压	Typ. 3.0 μVrms
工作温度范围	-40°C ～ 85°C
搭载功能	过热关断功能、欠压锁定保护电路等
封装	DFN3030-8-GQ　(3.0 × 3.0 × 0.75 mm)