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CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE

jf_57862042

2024-2-27 14:09:50 1854 Cree

0 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较，GaN-on-SiC具有更加优异的性能；砷化镓或硅基氮化镓；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。CMPA1D1E025 选用 10 导线；25 mm x 9.9 mm；金属/陶瓷法兰盘封装能够实现最理想的电气设备和热稳定性。特征 24 dB 小信号增益值 40 W 典型脉冲信号 PSAT 额定电压高至 40 V OQPSK 下 20 W 线性功率 A/B类高增益；高效率 50 Ω MMIC Ku 频率段高功率放大器应用领域军工用和商用 Ku 波段雷达产品规格描述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器最低频率(MHz)：13500 最高频率(MHz)：14500 最高值输出功率(W)：25 增益值(dB)：26.0 工作效率（％）：16 额定电压(V)：40 类型：封装的MMIC 封装类别：法兰盘技术：GaN-on-SiC 深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！ 0 本主题由从前有座_山于 2024-2-27 17:18 移动
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