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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 编辑
首先,我觉得,用5V给栅极,他就不会导通,因为它导通需要在10V左右。其次,你说导通后漏源极电压相等这也是正确的,而且它导通是要考虑Vgs,就像三极管的Vbe一样,导通之后Vbe(Vgs)依然是不变的,因为栅极和源极间是一个反向PN结(因此导通电压较BJT高些),导通时该PN结反向击穿,通过你上面说的100电阻到地,压降还是那么多。另外我觉得你应该在MOS前用一个BJT作为前级驱动,5V是不能行的, 转载自http://cxtke.com/ |
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