使用MCU的辅助存储器来记录ADC电压读数，当程序进入cy_flash_WriteRow () 时会出现双重锁定错误并自动终止的原因？

614 mcu adc

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我们正在尝试使用 MCU 的辅助存储器来记录 ADC 电压读数，以便日后检索。在之前在 main () 中调用了 systemInit () 之后，我写了一个 for 循环来滚动浏览数组值（之前记录在 voltagemVolts [] 中），然后将它们发送到所需的内存块。 for (short i = 0; i < mVLength; i++) { uint32_t mV = voltagemVolts[i]; uint32_t *mVar = mv; Cy_Flash_WriteRow(0x14000000 + i, mVar);}测试代码时，当程序进入 cy_flash_WriteRow () 时，我们会出现双重锁定错误并自动终止。 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-1-31 10:30 审核通过
2024-1-31 08:18:37　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 谢新貌该类别下有 43 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 39 个回答。邀请回答 911119qianhao 该类别下有 35 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 32 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 31 个回答。邀请回答独孤辉二该类别下有 27 个回答。邀请回答 wuli北该类别下有 25 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答 hy381 该类别下有 24 个回答。邀请回答周鹏生该类别下有 24 个回答。邀请回答修罗君该类别下有 24 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答 butterflydw 该类别下有 24 个回答。邀请回答牛牛爱吃草该类别下有 24 个回答。邀请回答 horayte 该类别下有 24 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答大洼球王该类别下有 23 个回答。邀请回答 32949523596693 该类别下有 23 个回答。邀请回答蔡甸一角该类别下有 23 个回答。邀请回答 hisysteeoke 该类别下有 23 个回答。邀请回答名士流该类别下有 23 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 22 个回答。邀请回答 testd27 该类别下有 22 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答举报 HCPcry 相关推荐 • 请问怎样使用FLASH存储器去设计引导装载系统？ 1423 • 是否可以将FLASH用作辅助存储器？ 212 • 求助数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器的区别 6665 • 代码损坏 1250 • 汽车系统非易失性存储器的选择 2288 • Flash存储器分为哪几类？Flash存储器有什么特点？ 4085 • STM32G071RB上的ADC读数问题求解 176 • FLASH和upp例程合一起后，发现flash读写数据时会出现DMA传输错误 804 • MCU PN MIMXRT1051CVL5B如何在不读取boot_cfc2[2:0] 并连接到外部存储器的情况下对保险丝进行编程？ 191 • FLASH和OTP存储器的功耗模式有哪几种状态？ 1632 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 可能是由于以下几个原因导致程序进入cy_flash_WriteRow()时出现双重锁定错误并自动终止： 1. 内存块的地址错误：根据你提供的代码，写入数据时使用了地址0x14000000 + i，这可能是不正确的地址。请确保使用正确的地址来写入数据。 2. 内存块的锁定状态：在写入数据之前，可能需要先解锁内存块。可以使用Cy_Flash_WriteRow（）函数之前的Cy_Flash_InitVar（）函数对存储器进行解锁。 3. 写入的数据大小：Cy_Flash_WriteRow（）函数用于写入一整行数据，因此需要确保传递给函数的数据大小是正确的。请确保传递给函数的数据大小与一行数据的大小相匹配。 4. 需要先擦除内存块：在写入数据之前，可能需要先擦除内存块。可以使用Cy_Flash_EraseRow（）函数对内存块进行擦除。请检查上述问题，并尝试进行相应的修复。如果问题仍然存在，请提供更多的代码和错误信息，以便进一步分析。

2024-1-31 15:38:50 评论举报人走了