CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE

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2024-1-19 09:27:13 11024 功率放大器

0 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷法兰盘封装形式，能够实现最好电力设备和热稳定性。特征 7.9–8.4GHz工作 80WPOUT（典型值） >13dB功率增益值 33%典型线性PAE 50Ω内部搭配 <0.1dB功率降低应用领域卫星通讯地面宽带产品规格描述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；输入/输出搭配GaNHEMT 最低频率(MHz)：7900 最高频率(MHz)：8400 最高值输出功率(W)：50 增益值(dB)：13.0 效率（％）：33 额定电压(V)：40 形式：封装形式分立晶体管封装形式类别：法兰盘技术应用：GaN-on-SiC 0 本主题由 dianzi_0101 于 2024-1-19 09:30 审核通过
2024-1-19 09:27:13　　评论淘帖0 举报相关推荐 • CGHV96100F2氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管 949 • CGHV40030氮化镓高电子迁移率晶体管 900 • CGHV40030氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管 1042 • CGHV1F006S 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 591 • CGHV1F006S氮化镓高电子迁移率晶体管规格书 0 • CGH40010F氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管 908 • CGHV1F006S 高电子迁移率晶体管 764 • CGHV40200PP氮化镓高电子迁移率晶体管规格书 0 • CGHV1J025D-GP4高电子迁移率晶体管 649 • MXene范德华接触在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用 978