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CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入,能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较,CGHV40180具有更加优异的性能;包括更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较,CGHV40180还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV40180选用2导线金属/陶瓷法兰盘和药丸式封装,能够实现最好电气和热稳定性。 特征 输入不适配 180W(CW)最低功率 250W典型功率 24dB典型小信号增益值 28V和50V使用 应用领域 雷达探测 医疗保健 宽带放大器 信息安全VHF-UHF 国防军事通讯设备 产品规格 描述:180瓦;DC-2GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管 最低频率(MHz):0 最高频率(MHz):2000 最高值输出功率(W):200 增益值(分贝):24.0 效率(%):70 额定电压(V):27 类型:封装分立晶体管 封装类别:法兰盘、丸状 技术应用:GaN-on-SiC |
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