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基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

2023-9-18 07:27:50 951 GaN LLC

0 目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限，即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium nitride h鄄igh electron mobility transistor）的应用可以进一步提高开关频率，使变换器的开关频率达到 500 kHz甚至几兆赫[1]。但 GaN HEMT 存在诸多应用难点，极高的开关速度容易引发振荡，过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压和极限栅源电压均明显低于 MOS鄄FET，在桥式拓扑的应用中容易发生误开通造成桥臂短路；通过优化 PCB 布局减小寄生电感能有效减小驱动振荡[3]，但在硬开关场合依旧存在较大电压过冲；而且 GaN HEMT 的反向导通损耗往往高于同电压等级的 MOSFET，尤其是工作在第三象限时，器件反向导通压降 Vsd_on 和关断电压 Vgs_off 有关，使得 Vsd_on 明显高于 MOSFET，不利于低压大电流 0 基于GaN_HEMT_的半桥LLC优化设计和损耗分析.pdf 1 Bytes , 下载次数: 6
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