SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3

轻舞飞扬2016

2023-6-5 11:46:28 2152

0 编辑：ll SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3 型号：SPA17N80C3 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：17A 漏源击穿电压：800V RDS（ON）Max：0.29Ω 引脚数量：3 特点新的革命性高压技术全球最佳RDS（上）在TO 220中超低栅极电荷周期性雪崩额定值极限dv/dt额定值超低有效电容提高了跨导沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管特性：N沟道MOS管、场效应管工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的SPA17N80C3 MOS管 ASEMI代理英飞凌品牌SPA17N80C3是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SPA17N80C3的最大漏源电流17A，漏源击穿电压800V. •细节体现差距 SPA17N80C3,ASEMI代理英飞凌MOS管，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。 SPA17N80C3具体参数为：最大漏源电流：17A，漏源击穿电压：800V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F 1
2023-6-5 11:46:28　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 关于SPA11N80C3 MOS管 4797 • 7N80-ASEMI高效MOS管7N80 399 • 双N沟道 80V,17 mΩ 标准电平 MOSFET-山毛榉7K17-80E 0 • 双N沟道 80V,17 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7K17-80E_ 0 • 集成块N80C186能否用N80C196替换 2675 • 集成块N80C186能否用N80C196替换 3085 • SPA07N60C3原装晶体功率型MOSFET单管 N沟道 7.3A 32W TO-220F 673 • AP30H80Q 30v 80a n mos管-锂保mos管参数 0 • N 沟道 80V,17 mΩ 标准电平 MOSFET，采用 TO220-PSMN017-80PS 0 • D2PAK中的N沟道 80 V 17mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN017-80BS 0