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编辑:ll SPA17N80C3-ASEMI代理英飞凌MOS管SPA17N80C3 型号:SPA17N80C3 品牌:Infineon(英飞凌) 封装:TO-220F 最大漏源电流:17A 漏源击穿电压:800V RDS(ON)Max:0.29Ω 引脚数量:3 特点 新的革命性高压技术 全球最佳RDS(上) 在TO 220中 超低栅极电荷 周期性雪崩额定值 极限dv/dt额定值 超低有效电容 提高了跨导 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的SPA17N80C3 MOS管 ASEMI代理英飞凌品牌SPA17N80C3是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了SPA17N80C3的最大漏源电流17A,漏源击穿电压800V. •细节体现差距 SPA17N80C3,ASEMI代理英飞凌MOS管,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。 SPA17N80C3具体参数为:最大漏源电流:17A,漏源击穿电压:800V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F |
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