IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE

2023-6-3 11:45:05 2039

0 编辑：ll IPA50R190CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA50R190CE 型号：IPA50R190CE 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-220F 最大漏源电流：24.8A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.19Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-40℃~150℃ IPA50R190CE场效应管 IPA50R190CE的电性参数：最大漏源电流24.8A；漏源击穿电压500V IPA50R190CE应用：适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器. 0
2023-6-3 11:45:05　　评论淘帖0 举报相关推荐 • IPA60R190C6 晶体MOS单管 N沟道 600V 20.2A 34W TO-220F 2206 • 基于SWM190RBT6-50芯片的FOC风机方案 1543 • ResignTool IPA签名工具 2 • 24N50-ASEMI高压MOS管24N50 0 • 24N50-ASEMI的MOS管24N50 724 • 异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分 5972 • CE认证中R＆TTE指令是什么? 2970 • Arm系列-智能功率分配IPA技术 1417 • 飞虹FHP60R190A场效应管介绍 1302 • 为什么我使用BQ40Z50-R1充放电MOS管无法正常打开？ 5534