IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G

2023-5-18 14:21:41 1467

0 编辑：ll IPB107N20N3G-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB107N20N3G 型号：IPB107N20N3G 品牌：Infineon(英飞凌) 封装：TO-263 最大漏源电流：88A 漏源击穿电压：200V RDS（ON）Max：10.7mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：如图特性：高压MOS管、N沟道MOS管工作结温：-55℃~175℃ IPB107N20N3G场效应管 IPB107N20N3G的电性参数：最大漏源电流88A；漏源击穿电压200V IPB107N20N3G应用：适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器. 0
2023-5-18 14:21:41　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 20N10-ASEMI中低压MOS管20N10 1 • 100N10-ASEMI中低压MOS管100N10 1 • ASEMI的MOS管20N10规格书 3 • 20N20-ASEMI低功耗场效应管20N20 997 • MOS管20N20-ASEMI三个极怎么判定，20N20是N沟道还是P沟道 710 • MOS管25N120-ASEMI是什么 820 • 领泰LT18N20SR稳压N沟道MOS管 1421 • 创维3N10/3N20电视机电路图 2916 • N-MOS管的原理是什么？N-MOS管为什么会出问题？ 1688 • 创维3N10、3N20彩电电路图 35