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这是有MOS管的特性决定的，MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，根据分压原理可知输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。 静态功耗低，每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大，近似等于电源电压。抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35%左右。可在较广泛的电源电压范围内工作，便于与其他电路接口，速度快，门延迟时间达纳秒级；在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；与NMOS电路相比，集成度稍低。 
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因为输入电阻很高，容易引起干扰
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悬空会积累静电，导致击穿COM损坏，而不是所谓的阻抗大干扰，单是阻抗大，大不了一直保持为高电平，与干扰没关系
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这是有MOS管的特性决定的，MOS管输入阻抗很大（栅极源极之间有一层氧化层），输入阻抗大，对微弱信号的捕捉能力就很强（简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联，根据分压原理可知输入电阻越大输入的分压越大），所以悬空时很容易受周围信号的干扰。
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