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编辑：ll 10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65 型号：10N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.9Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 10N65场效应管 10N65的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。 BVDSS=650V，Id=10A RDS（开）:0.9Ω （最大值）@VG=10V 
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