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普通二极管(正导通电压)
众所周知,公共二极管和晶体管的发射极结具有阈值电压。对于硅器件,导通电压约为0.65 V。随着导通电流的变化,这种电压变化并不显著。因此,任何硅材料的普通二极管都可以用作0.6V的齐纳二极管,其正向压降用作稳压值。显然,由于普通二极管的工作电流往往是齐纳二极管工作电流的几倍,因此更换后,功率输出能力增强,调压区域拓宽。如果需要2.5V齐纳,可以取3个普通二极管。 使用纯二极管代替齐纳二极管。如果所需的电压调节值很高,则多个串联连接特别不方便。这促使我寻找其他替代设备。 发光二极管(正导通电压) LED的正向压降约为1.7~2V,一个可以达到三个二极管的串联值。如果需要一个3.5V稳压器,可以更换这两个系列。但需要注意的是,LED的工作电流值一般为10~20mA。注意R值,使流过LED的电流不超过20mA。 晶体管的发射极结(反向击穿电压) 这是齐纳的理想替代品。三极管参数之一是Vbeo,它是发射极结的反向击穿电压值。记得当时维修时急需用6V稳压器,拿起3DG6晶体三极管,在基极施加限流电阻后,施加发射极结的反向电压,测量6V而不是原来的电压值。调节管修理设备。应用最广泛的是90xx系列晶体管。如果需要5V稳压器,可以用9013发射极结代替。任何三极管的发射极结都具有相对稳定的击穿电压值。事实上,晶体管也是齐纳二极管的替代器件。 图 10.齐纳二极管替代电路 二极管的特定类型(反向击穿电压) 在一种故障排除中,不必使用110V齐纳二极管。手头没有现成的调节管。使用一系列其他系列是不现实的。有一种高频低功率整流二极管1N4148手上串联100K电阻,加上DC500V,测试一下,IN4148的反向击穿电压,不能正好是110V。普通整流二极管,如IN40xx系列,VRRM的反向击穿电压值为50V、100V、400V和600V。如果反向应用,这只是一系列齐纳二极管。 串联齐纳二极管和并联齐纳二极管的本质 从稳压器元件Dz或稳压器元件VT与负载RL的区别来看,可分为并联(并联)稳压电路和串联(分压)稳压电路,两种电路形式,如图13所示: 图 11. Uo电压变化的原因有几个,如温度变化,但最关键的两个原因,即输入电压的变化和负载电流的变化,影响最显著。 如果负载电路相当于电阻RL,齐纳二极管的内阻变化相当于RDz(可变电阻),可以推断出调压过程是这样的: (a)该电路为并联稳压器电路,Dz和RL并联。 当RL固定时,只有当输入电压发生变化(例如上升)时,为了保持Uo,RDz的电阻值变化到一个小点,并且电源电流的分流能力增强,使Uo回落并保持原始值。变; 当输入电压恒定且负载电阻RL发生变化(例如变小)时,负载电流的增加会导致Uo有下降的趋势。此时,RDz的电阻值增加,分流器减小,导致Uo上升到原始值。 (b)电路为串联稳压电路,VT和RL处于串联关系。 简要分析输入电压恒定且负载变化时的调压控制过程。 当负载电流上升,即RL变小时,很明显RVT的电阻值在相同比例下变小,这样就可以保持原来的分压值。同样,当RL变大时,RVT也会成比例变大。为了保持恒定的Uo。 可以看出,无论是串联调压还是并联稳压,无论是输入电压变化还是负载电流变化,稳压器元件或稳压器调节元件都只能保持输出Uo而不改变电阻/电流变化。稳压元件在这里充当可变电阻器。换句话说,稳压器组件或稳压器组件同步调节环路电流的变化以保持输出电压恒定。它是通过变电流调节实现的电压调节控制。 线性稳压器电路的缺点是调节元件本身的功耗大,即有端电压,同时大部分或全部负载电流流过。有时,微调组件本身的功耗会超过负载电路的功耗,从而导致效率低下。由于这种弱点,开关型DC-DC转换器电源的出现已经到来,开关电源取代线性电源的时代即将到来。 |
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