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二极管(Diode)是常用的半导体组件之一。二极管有正、负两个引脚。正端成为阳极A,负端成为阴极K,故有二极管之称。是一种具有单方向导电特性的无源半导体器件。 事实上,一个PN结就形成了一个二极管。制造者先生成N型硅晶体,然后把它突变成P型晶体,用玻璃或者塑料将结合的晶体封装。用这些结合在一起的硅片制造单向门的原理是当外电压加到器件上时,使N型硅和P型硅总的电荷载流子相互作用,电流只能单向流动。 正向偏置 当一个二极管如下图连接到一个电池,N型侧的电子和P型侧的空穴都被由电池提供的电场推向中间(PN结)。电子与空穴结合,电流通过二极管。这时我们说二极管正向偏置。 反向偏置 当一个二极管如下图连接到一个电池,P型侧的空穴被向左推,N型侧的电子被向右推。这导致在PN结附近出现了一个没有载流子的空区域,称为耗尽区。 伏安特性 二极管最重要的特性就是单向导电性。我们用伏安特性来描述就会一目了然了。如下图 正向特性 坐标轴右上描述了正向特性。当U较小时,I依然等于0,这段电压叫做死区电压,这时二极管上虽然有电压,但是这个电压不足以使PN结导通,二极管上依旧没有电流(红色虚线代表锗二极管,蓝色实线代表硅二极管,死区电压:锗二极管0.2V~0.4V,硅二极管0.5V~0.7V)。当U超过死区电压,电流就会急剧增大,这时我们称它为线性区域。 反向特性 坐标轴左下描述了反向特性。二极管加反向电压时,反向电流很小,而且当反向电压超过零点几伏后,反向电流不再随反向电压的增大而增大,即达到了饱和,这个电流称为反向饱和电流。 反向击穿特性 当二极管反向电压增加到某一个数值时,反向电流急剧增长。 若反向电流增长到一定数值,二极管将会发热击穿,热击穿的二极管将是不可逆的损坏。只要控制反向电流的数值,则当反向电压降低时,二极管的性能可能恢复正常。基于此,我们可以看到,在反向击穿区,电压基本是稳定的,而电流变化却很大,即具有稳压特性,只要有效防止二极管发生热击穿,就成为具有稳压特性的器件,稳压管就是根据这个特性制造出来的。 二极管分类 如下图,小编整了一张流程图,可以一目了然的看到常用二极管的分类: |
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