LP静止式进相器
进相器上的电容到底有作用呢?进相器等设备在运行过程中,会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时,设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法就是可控硅两端并接R-C阻容吸收回路,
在可控硅阴阳极两端直接进行保护。可控硅关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流,此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。电阻R选无感电阻,通常取5-30Ω;电容C通常在0. 1-1μF,耐压选元件耐压的1. 1-1. 5倍。具体R、C取值可根据元件型号及工作情况调试决定。注意保证电阻R的功率,使之不会因发热而损坏。
加在可控硅上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于可控硅结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使可控硅正向阻断能力下降,严重时引起可控硅误导通。为了抑制dv/dt的作用,可以在可控硅两端并联R-C阻容吸收回路。
进相器上的电容作用主要是保护可控硅过电压和误导通,从而保证进相器的正常工作。
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