USB输入5V升压充电12.6V芯片

2022-8-26 01:08:28

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日常生活当中，5V升压12.6V芯片有很多选型，但5V升压充电12.6三节充电管理IC市面相对要少，HU5913一款5V升三节锂电池12.6V充电管理芯片HU5913,芯片采用外置MOS管，通过电阻来设计充电电流的大小，可匹配市面所有的5V适配器，升压效率高达百分之90以上，最大充电电流4A

1.下面介绍芯片的特点
输入电压范围： 2.7V 到 6.5V
工作电流： 280 微安 @VIN=5V
电感电流检测
高达 1MHz 开关频率
准恒压充电模式补偿电池内阻和电池连接线
电阻产生的电压损失
自动再充电功能
高达 35W 输出功率
当电池电压低于输入电压或者电池短路时，
以较小电流充电。
输入电源的自适应功能
芯片使能输入端
电池端过压保护
状态指示输出
工作温度范围：－ 40 ℃到 85 ℃
2.芯片的设计运用图

3.芯片线路N MOS和二极管的选择
1.HU5913需要使用一个外部 N 沟道场效应晶体管。选择场效应晶体管应考虑最高电池电压，电感电流，开
启电压，导通电阻和栅极总电荷等因素。 MOS 场效应晶体管的击穿电压应该大于最高电池电压；较低的
导通电阻和较低的总栅极电荷 (Qg) 有助于提高效率；开启电压要保证 MOS 场效应晶体管在工作电压最低
端仍能完全导通。
2.二极管的选择
为了提高效率，在图 1 和图 2 中的二极管 D1 的正向导通电压要尽量低，最好使用肖特基二极管；二极管通
过电流能力要比充电电流大；击穿电压要大于最高电池电压。
图 2 中的二极管 D2 只在输入电压大于电池电压的情况下才使用，此时电感电流明显降低。所以二极管 D2
的正向导通电压要尽量低，最好使用肖特基二极管；二极管通过电流能力要比电感电流大；击穿电压要
大于最高输入电压。
*附件：HU5913锂电池5V升压充电12.6V芯片2.2,PDF.pdf