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S34MS16G202BHI000闪存芯片S34ML08G101TFB003

2022-2-4 10:27:01 857

0 S34MS16G202BHI000闪存芯片S34ML08G101TFB003 西部数据宣布成功开发了4-Bits-Per-Cell(X4）架构的64层3D NAND（BiCS3）。在以前的2D NAND技术时代，创新的X4架构成功投入商用，西部数据现在将X4架构应用于先进的64层3D NAND。随着闪存技术的发展，NAND Flash架构设计已从SLC过渡到MLC，现在TLC已成为了主流。西部数据的4-Bits-Per-Cell(X4）架构也就是所谓的QLC，相较于TLC（3-Bits-Per-Cell，X3），每个单位元的存储容量更大。西部数据BiCS3的X4架构可使单颗Die容量达到768Gb，相较于之前TLC架构的512Gb，单位容量增加了50%。西部数据将在美国加利福尼亚州的圣克拉拉举行的Flash Memory Summit闪存峰会上展示其基于X4架构BiCS3的移动产品，以及SSD产品。西部数据表示，成功研发出X4架构的BiCS3代表着西部数据的一个重大进展，也显示我们在NAND Flash技术的持续领导地位，同时也使我们能够为客户提供更多选择的存储解决方案。由于NAND Flash因单位元内存放的bits数增加，P/E周期(Program/Erase Cycle)，以及使用寿命也随之降低。在NAND Flash的MLC向TLC过渡时，为了降低读写错误，NAND Flash控制芯片的ECC纠错技术由BCH向更高纠错能力的LDPC转换，QLC也将会采用更高的纠错技术。西部数据还表示，今天最引人注意的是，创新的X4架构可使BiCS3 X4的性能能够与BiCS X3相媲美，X4和X3架构之间的性能差缩小是辨别我们能力的一个重要标准，这将有助于我们在未来广泛推动X4架构被市场所接受。西部数据预计公司生产的BiCS X4技术利用高容量的优势特性将跨越多个终端应用，随着技术的不断发展，包括将要向96层发展BiCS4都将采用X4架构，未来也将成为主流。 S34MS01G200BHA003 S34ML04G100TFA003 S34MS04G200TFI003 S34ML04G100BHB000 S34ML04G100BHA000 S34ML08G101TFB003 S34ML01G100BHV000 S34MS04G100TFB000 S34ML01G200BHV000 S34MS04G200BHB003 S34MS01G204BHA013 S34MS04G204TFI013 S34ML01G200BHI003 S34ML08G201BHA003 S34ML02G100BHA003 S34ML01G100TFA000 S34MS01G104BHI010 S34ML04G100BHI003 S34MS01G200BHI000 S34MS01G204BHA010 S34ML04G200BHI003 S34ML02G204TFI013 S34ML08G201BHA000 S34MS08G201BHV003 S34ML04G100BHV003 S34MS01G200BHI003 S34MS04G200TFI000 S34ML02G100BHV003 S34MS04G204TFB010 S34MS16G202BHI000 S34ML02G104BHB013 S34MS01G204TFI010 S34ML02G104TFA013 S34MS04G100BHI000 S34MS08G201BHI000 S34MS02G204TFI010 S34ML08G201BHI003 S34MS02G200BHI003 S34MS02G200BHV000 S34ML02G200BHI003 S34ML04G200BHA000 S34ML01G100TFB003 S34ML04G200BHV000 S34ML02G204TFI010 0
2022-2-4 10:27:01　　评论淘帖0 举报相关推荐 • S34MS16G202BHI000闪存芯片S34MS16G202BHI003 964 • S34ML16G202BHI000闪存芯片S34ML16G202BHI003 1037 • S34ML16G202TFI203闪存芯片S34ML08G101TFB000 727 • S34SL04G200BHI003闪存芯片S34SL04G200BHI000 889 • S34ML08G101TFI000 原装现货 1611 • 嵌入式NAND闪存S34ML16G2数据手册 0 • DS34S101, DS34S102, DS34S104, 14 • NAND-FLASH S34ML08G1编写和读取不成功 3590 • 请告诉我S34MS02G200TFI003的镀铅厚度 1977 • S34ML01G1,3v SLC 嵌入式闪存 39